图尔库大学P·劳卡宁获国家专利权
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龙图腾网获悉图尔库大学申请的专利半导体结构及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113748490B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080031175.2，技术领域涉及：H10P14/692；该发明授权半导体结构及方法是由P·劳卡宁;朱哈-佩卡·莱赫蒂奥;札赫拉·杰汉沙·瑞德;米哈伊尔·库兹敏;马尔科·蓬基宁;安蒂·拉赫蒂;卡莱维·科科设计研发完成，并于2020-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构100，包括结晶硅基底110，具有表面111，以及在该硅基底110的该表面111上的结晶氧化硅超结构120，该氧化硅超结构120具有至少两个分子层的厚度和采用伍德表示法的1x1平面结构。
本发明授权半导体结构及方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体结构的方法200，所述半导体结构包括结晶硅基底和在所述结晶硅基底上的结晶氧化硅超结构，所述方法200包括以下处理： 在真空室中提供所述结晶硅基底201，所述结晶硅基底具有基本上清洁的沉积表面； 将所述结晶硅基底加热至100℃至450℃的氧化温度TO205；以及 在保持所述结晶硅基底处于所述氧化温度TO的同时，将分子氧O2以1x10-8毫巴至1x10-4毫巴的氧化压力PO和0.1朗谬尔至10000朗谬尔的氧剂量DO供应到所述真空室206； 其中，所述结晶氧化硅超结构在所述沉积表面上形成，所述结晶氧化硅超结构具有至少两个分子层的厚度和采用伍德表示法的1x1平面结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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