日月光半导体制造股份有限公司施佑霖获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体封装件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113851445B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110950014.X，技术领域涉及：H10W70/40；该发明授权半导体封装件及其形成方法是由施佑霖;李志成设计研发完成，并于2021-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装件及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明的实施例提供了一种半导体封装件，包括：引线架；芯片，位于引线架中；介电层，包覆引线架和芯片；重布线层，位于芯片的主动面以及介电层上，重布线层接触芯片的主动面，重布线层具有延伸在介电层和主动面上的第一阶梯结构，位于介电层上的重布线层的部分低于芯片的主动面。本发明的目的在于提供一种半导体封装件及其形成方法，以优化半导体封装件的性能。
本发明授权半导体封装件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装件，其特征在于，包括： 引线架； 芯片，位于所述引线架中； 介电层，包覆所述引线架和所述芯片； 重布线层，位于所述芯片的主动面以及所述介电层上，所述重布线层接触所述芯片的所述主动面，所述重布线层具有延伸在所述介电层和所述主动面上的第一阶梯结构，位于所述介电层上的所述重布线层的部分低于所述芯片的主动面，其中，所述重布线层的厚度大于所述主动面和所述介电层的顶面之间的高度差， 其中，所述第一阶梯结构的下表面包括朝向所述芯片的角部渐缩的第一曲面，并且所述第一曲面通过所述介电层与所述芯片的靠近所述主动面的侧壁间隔开。
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