南亚科技股份有限公司黄则尧获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利具有多个保护层的半导体元件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113903723B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110505165.4，技术领域涉及：H10W20/43；该发明授权具有多个保护层的半导体元件及其制备方法是由黄则尧;施信益设计研发完成，并于2021-05-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有多个保护层的半导体元件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件包括一第一芯片、一第一导电特征、一第二芯片、一第一掩模层、一第二掩模层、一导电填充层、多个绝缘层以及多个保护层；该第一导电特征位在该第一芯片中；该第二芯片位在该第一芯片上；该第一掩模层位在该第二芯片上；该第二掩模层位在该第一掩模层上；该导电填充层位在穿过该第二掩模层、该第一掩模层以及该第二芯片处，延伸到该第一芯片且接触该第一导电特征；该等绝缘层位在该导电填充层与该第一芯片之间、位在该导电填充层与该第二芯片之间以及位在该导电填充层与该第一掩模层之间；该等保护层位在该导电填充层与该第二掩模层之间以及位在该导电填充层与该第一掩模层之间，并覆盖该等绝缘层的上部设置。
本发明授权具有多个保护层的半导体元件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，包括： 一第一芯片； 一第一导电特征，位在该第一芯片中； 一第二芯片，位在该第一芯片上； 一第一掩模层，位在该第二芯片上； 一第二掩模层，位在该第一掩模层上； 一导电填充层，位在穿过该第二掩模层、该第一掩模层以及该第二芯片处，延伸到该第一芯片并接触该第一导电特征； 多个绝缘层，位在该导电填充层与该第一芯片之间、位在该导电填充层与该第二芯片之间，以及位在该导电填充层与该第一掩模层之间；以及 多个保护层，位在该导电填充层与该第二掩模层之间以及位在该导电填充层与该第一掩模层之间，并覆盖该多个绝缘层的上部，其中在该第二掩模层与该多个保护层之间的多个界面呈锥形， 其中位在该多个保护层与该导电填充层之间的多个界面大致呈垂直，该导电填充层的形状在该多个保护层处变窄。
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