日月光半导体制造股份有限公司庄劭萱获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体封装装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113948488B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111106326.9，技术领域涉及：H10W70/65；该发明授权半导体封装装置及其制造方法是由庄劭萱;张皇贤设计研发完成，并于2021-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括：重布线层，表面具有第一凹部；第一芯片和第二芯片，设置在重布线层上，其中，第一凹部位于第一芯片和第二芯片之间间隔的下方。该半导体封装装置及其制造方法能够在第一芯片和第二芯片之间提供更大的空间用于释放膨胀应力或者加强结构强度，从而减小或消除热应力对结构的负面影响，避免半导体封装装置内部出现断裂，有利于提高产品良率。
本发明授权半导体封装装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装装置，包括： 重布线层，表面具有第一凹部； 第一芯片和第二芯片，设置在所述重布线层上，其中，所述第一凹部位于所述第一芯片和所述第二芯片之间间隔的下方； 所述第一凹部内设置有加强件，所述加强件的上方设置有底部填充材，所述加强件的材料为硅；或者， 所述第一凹部内设置有疏水性材料层；所述疏水性材料层上设置有模塑材；所述模塑材填充所述第一芯片和所述第二芯片之间的间隔； 所述疏水性材料层的宽度大于所述第一芯片和所述第二芯片之间间隔的宽度，使所述模塑材充分填充所述第一芯片和所述第二芯片之间间隔； 在制造过程中，所述疏水性材料层用于能够将上方的模流排开，使模流流向所述第一芯片与所述重布线层之间以及所述第二芯片与所述重布线层之间的区域，从而使所述模塑材填充所述第一芯片和所述第二芯片之间的间隔。
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