中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司郑二虎获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113972170B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010724642.1，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构的形成方法是由郑二虎;唐龙娟设计研发完成，并于2020-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，包括用于形成目标图形的目标层，基底包括图形稀疏区和图形密集区；在目标层上形成分立的核心层；形成保形覆盖核心层和目标层的侧墙材料层；在图形稀疏区中，在相邻核心层之间的侧墙材料层上形成牺牲层；刻蚀位于核心层顶部以及牺牲层露出的目标层上的侧墙材料层，保留核心层侧壁的侧墙材料层作为掩膜侧墙；去除核心层；以掩膜侧墙为掩膜刻蚀目标层，形成目标图形。本发明通过牺牲层起到伪核心层的功能，以增加图形稀疏区的图形密度，在刻蚀侧墙材料层时，使得图形稀疏区和图形密集区的刻蚀环境相接近，从而改善刻蚀负载效应，进而提高目标图形的尺寸均一性，使得半导体结构的性能得以提高。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，包括用于形成目标图形的目标层，所述基底包括图形稀疏区和图形密集区，所述图形稀疏区中的目标图形密度小于所述图形密集区中的目标图形密度； 在所述目标层上形成分立的核心层； 形成保形覆盖所述核心层和目标层的侧墙材料层； 在所述图形稀疏区中，在相邻所述核心层之间的侧墙材料层上形成牺牲层，且所述牺牲层与位于所述核心层侧壁的侧墙材料层之间具有间隔； 刻蚀位于所述核心层顶部以及所述牺牲层露出的目标层上的侧墙材料层，保留位于所述核心层侧壁的侧墙材料层作为掩膜侧墙； 形成所述掩膜侧墙后，去除所述核心层； 去除所述核心层后，以所述掩膜侧墙为掩膜刻蚀所述目标层，形成目标图形。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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