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龙图腾网获悉浙江大学杭州国际科创中心申请的专利一种高可靠性的沟槽栅型碳化硅MOSFET器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113972260B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111044550.X，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种高可靠性的沟槽栅型碳化硅MOSFET器件是由盛况;任娜;林超彪设计研发完成，并于2021-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高可靠性的沟槽栅型碳化硅MOSFET器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种高可靠性的沟槽栅型碳化硅MOSFET器件，包括：N+型衬底、N‑型漂移区、第一P区、P+接触区、N+接触区、位于第一P区和N+接触区之间的N型等效电阻区、栅介质层、槽栅、隔离介质层、源电极、漏电极。本发明提出的SiCMOSFET器件通过增加一个N型等效电阻区，起到串联电阻的作用，当器件发生短路时，降低了器件的饱和电流，提高了其短路能力。

本发明授权一种高可靠性的沟槽栅型碳化硅MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种高可靠性的沟槽栅型碳化硅MOSFET器件，包括：N+型衬底、位于N+型衬底下方的漏电极、位于N+型衬底上方的N-型漂移区、槽栅区、栅介质、位于N-型漂移区上方的第一P型区、位于第一P型区上方且与第一P型区接触的N型等效电阻区、位于N型等效电阻区上方且与其接触的N+型接触区、位于N+型接触区上方的源电极和位于槽栅区上方的隔离介质区；形成于栅介质与N型等效电阻区之间的第二P型区，第二P型区位于槽栅区的垂直侧壁处且与第一P型区接触；形成于第一P型区和N-型漂移区之间的N_CSL电流扩散区，且N_CSL电流扩散区只分布在栅介质的侧壁；在N-型漂移区中形成第二N型区，第二N型区与N_CSL电流扩散区存在间隔，P+型接触区贯通N+型接触区、N型等效电阻区、第一P型区、N_CSL电流扩散区以及位于N_CSL电流扩散区和第二N型区之间的N-型漂移区的部分，从而延伸到第二N型区；形成于P+型接触区和N-型漂移区之间的第二N型区；N型等效电阻区的掺杂浓度大于N-型漂移区的掺杂浓度且小于N+型接触区的掺杂浓度，第二P型区的掺杂浓度大于N-型漂移区的掺杂浓度，N_CSL电流扩散区的掺杂浓度大于N-型漂移区的掺杂浓度且小于N+型接触区的掺杂浓度，第二N型区的掺杂浓度大于N-型漂移区的掺杂浓度。

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