买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉广微集成技术(深圳)有限公司申请的专利一种肖特基二极管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114038905B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111489484.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种肖特基二极管及其制作方法是由单亚东;谢刚;胡丹设计研发完成，并于2021-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种肖特基二极管及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种肖特基二极管及其制作方法，所述肖特基二极管包括自下向上依次层叠设置的N型外延层以及势垒金属层，所述N型外延层的上侧形成有沿前后向延伸的沟槽，所述沟槽内填充有沟道结构，所述沟道结构包括栅氧化层、位于所述栅氧化层两侧的两个多晶硅层和位于所述两个多晶硅层两侧的两个P型轻掺杂层，所述N型外延层的上侧设有与所述P型轻掺杂层连接的P型重掺杂层，且所述P型重掺杂层与所述势垒金属层接触。本发明提供的肖特基二极管，正是利用P型重掺杂层与势垒金属层形成欧姆接触，P型轻掺杂层做电导调制层，在不影响肖特基二极管开关特性的前提下，大大提高器件的抗浪涌能力。

本发明授权一种肖特基二极管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种肖特基二极管，其特征在于，包括自下向上依次层叠设置的N型外延层以及势垒金属层，所述N型外延层的上侧形成有沿前后向延伸的沟槽，所述沟槽内填充有沟道结构，所述沟道结构包括栅氧化层、位于所述栅氧化层两侧的两个多晶硅层和位于所述两个多晶硅层两侧的两个P型轻掺杂层，所述N型外延层的上侧设有与所述P型轻掺杂层连接的P型重掺杂层，且所述P型重掺杂层与所述势垒金属层接触，所述P型重掺杂层对应所述沟道结构设置，且所述P型重掺杂层的两端分别与所述沟道结构的两个所述P型轻掺杂层连接，所述沟道结构设有多个，多个所述沟道结构沿其宽度方向间隔设置，在任意的相邻两个所述沟道结构中，相邻的两个所述P型轻掺杂层之间对应设有所述P型重掺杂层，且所述P型重掺杂层的两端分别与两个所述P型轻掺杂层连接，所述P型重掺杂层设有多个，多个所述P型重掺杂层沿所述沟道结构的长度方向间隔设置，多个所述P型重掺杂层沿所述沟道结构的宽度方向间隔设置，所述P型重掺杂层与所述P型轻掺杂层沿所述沟道结构的长度方向间隔设置成梯形结构； 相邻两个所述P型重掺杂层与所述N型外延层的前侧面的距离相等，或相邻两个所述P型重掺杂层中，其一与所述N型外延层的前侧面的距离大于另一与所述N型外延层的前侧面的距离； 所述P型重掺杂层的掺杂浓度为1011~1013cm-2； 所述P型重掺杂层的结深小于所述P型轻掺杂层的结深。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广微集成技术(深圳)有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市南山区粤海街道科技园社区科智西路5号科苑西25栋A609；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。