买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉广微集成技术(深圳)有限公司申请的专利一种肖特基二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114038906B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111521603.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种肖特基二极管及其制备方法是由单亚东;谢刚;胡丹设计研发完成，并于2021-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种肖特基二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种肖特基二极管及其制备方法，肖特基二极管包括衬底；中间层设于衬底的上侧，中间层包括外延层和氧化层，中间层的上部形成有多个沟槽，多个沟槽包括多个位于终端区的终端区沟槽，各沟槽具有对应外延层的第一内壁，第一内壁上设有栅氧化层，栅氧化层限定出通道；多个第一多晶硅结构对应填充在多个通道内；第二多晶硅结构对应相邻两个第一多晶硅结构之间的区域设置，且各第二多晶硅结构的两端分别与两个第一多晶硅结构接触，以形成串联的多晶硅PN结，多晶硅PN结的击穿电压小于外延层的击穿电压。本发明通过串联的多晶硅PN结钳位终端区沟槽内的第一多晶硅结构的电位，从而使整个器件的击穿电压稳定，进而使器件的可靠性高。

本发明授权一种肖特基二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种肖特基二极管，其特征在于，包括： 衬底； 中间层，设于所述衬底的上侧，所述中间层包括外延层和位于外延层的上侧的氧化层，所述中间层的上部形成有多个沟槽，所述多个沟槽包括至少一个位于有源区的有源区沟槽和多个位于终端区的终端区沟槽，各所述沟槽具有对应所述外延层的第一内壁，所述第一内壁上设有栅氧化层，所述栅氧化层限定出通道； 多个第一多晶硅结构，对应填充在多个所述通道内； 至少两个间隔设置的第二多晶硅结构，设于所述终端区的所述中间层的上表面，各所述第二多晶硅结构对应相邻两个第一多晶硅结构之间的区域设置，且各所述第二多晶硅结构的两端分别与所述两个第一多晶硅结构接触，以形成串联的多晶硅PN结，所述多晶硅PN结的击穿电压小于所述外延层的击穿电压，用于固定终端区沟槽内的第一多晶硅结构的电位； 所述外延层为N型轻掺杂单晶硅层，掺杂浓度为1013~1018cm-3； 所述第一多晶硅结构为N型重掺杂多晶硅，掺杂浓度为1017~1020cm-3； 所述第二多晶硅结构为P型轻掺杂多晶硅，掺杂浓度为1013~1015cm-3。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广微集成技术(深圳)有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市南山区粤海街道科技园社区科智西路5号科苑西25栋A609；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。