中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司赵炳贵获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068393B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010760742.X，技术领域涉及：H10W20/42；该发明授权半导体结构及其形成方法是由赵炳贵设计研发完成，并于2020-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：基底包括衬底、位于衬底上的栅极结构、位于栅极结构两侧的源漏掺杂层以及位于栅极结构侧部且覆盖源漏掺杂层的层间介质层；在栅极结构和层间介质层上形成介电层；在介电层上形成图形层；以图形层为掩膜刻蚀介电层，形成露出层间介质层的第一开口；图形化图形层，形成具有第一凹槽的图形定义层，第一凹槽露出第一开口的同时且露出所述栅极结构顶部的所述介电层；以图形定义层为掩膜刻蚀第一开口露出的层间介质层，以及栅极结构顶部的介电层，形成露出源漏掺杂层和栅极结构的第二开口；在第二开口中形成插塞。本发明实施例中的插塞不易与衬底连接，降低插塞漏电流的概率，提高半导体结构的电学性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的栅极结构、位于所述栅极结构两侧的源漏掺杂层以及位于所述栅极结构侧部且覆盖所述源漏掺杂层的层间介质层； 在所述栅极结构和层间介质层上形成介电层； 在所述介电层上形成图形层； 以所述图形层为掩膜刻蚀所述介电层，形成位于所述介电层中且露出层间介质层的第一开口； 图形化所述图形层，形成具有第一凹槽的图形定义层，所述第一凹槽露出所述第一开口的同时且露出所述栅极结构顶部的所述介电层； 以所述图形定义层为掩膜刻蚀所述第一开口露出的层间介质层，以及所述栅极结构顶部的介电层，形成露出源漏掺杂层和栅极结构的第二开口； 在所述第二开口中形成插塞。
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