中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所胡瑞获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利磁调谐薄膜体声波谐振器及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114070245B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111393245.1，技术领域涉及：H03H9/02；该发明授权磁调谐薄膜体声波谐振器及其制备方法和应用是由胡瑞;林文魁;曾中明设计研发完成，并于2021-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁调谐薄膜体声波谐振器及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种磁调谐薄膜体声波谐振器及其制备方法和应用。所述磁调谐薄膜体声波谐振器包括依次叠设的第一电极、压电材料层和第二电极；所述第二电极包括交替层叠的至少一第一材料层和至少一第二材料层，其中至少一第一材料层为磁致伸缩薄膜，所述磁致伸缩薄膜与压电材料层配合形成磁电异质结。本发明实施例提供了一种磁调谐薄膜体声波谐振器，以磁性伸缩复合薄膜作为上电极，利用磁性材料与压电材料的磁电效应，实现在磁场的作用下对FBAR的谐振频率在低频、中频甚至是高频范围内的调节。
本发明授权磁调谐薄膜体声波谐振器及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种磁调谐薄膜体声波谐振器，包括依次叠设的第一电极、压电材料层和第二电极；其特征在于：所述第二电极包括交替层叠的至少一第一材料层和至少一第二材料层，所述第二电极中所有第一材料层的总体积与所有第二材料层的总体积之比为1：1-5：1，其中，所述第一材料层为磁致伸缩薄膜，所述第二材料层包括软磁薄膜、声学匹配层、磁致伸缩薄膜中的任意一种或多种的组合，所述第二电极与压电材料层配合形成磁电异质结，所述磁致伸缩薄膜的材质为FeGa、FeCo或FeGaB； 所述磁调谐薄膜体声波谐振器的谐振频率f0由所述磁电异质结的等效杨氏模量所决定，并且，所述磁调谐薄膜体声波谐振器的谐振频率f0满足： 式中，T0表示磁调谐薄膜体声波谐振器的厚度，Eeq和ρeq为磁调谐薄膜体声波谐振器的等效杨氏模量和等效密度，和，其中，Ei是磁电异质结的等效杨氏模量，Vi是器件中磁电异质结每一层的体积比。
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