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龙图腾网获悉深圳市森国科科技股份有限公司申请的专利碳化硅结势垒肖特基二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171607B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111311766.8，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权碳化硅结势垒肖特基二极管是由尹杰;杨承晋;刘旭;刘勇强;刘涛;兰华兵设计研发完成，并于2021-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅结势垒肖特基二极管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碳化硅结势垒肖特基二极管，属于半导体技术领域，包括碳化硅衬底、N+缓冲区、N+漂移区、元胞区、终端区、隔离层、阴极金属、阳极金属、钝化层，N+缓冲区位于碳化硅衬底的上方，N+缓冲区设有第一外延层；N+漂移区位于N+缓冲区的上方，N+漂移区设有第二外延层、第三外延层，第二外延层覆盖于第一外延层，第三外延层覆盖于第二外延层；元胞区包括P+结；终端区位于N+漂移区的上方，终端区上设有P+场限环，P+过渡区位于元胞区和终端区之间；隔离层覆盖于终端区的上方；钝化层覆盖于隔离层的上方；阴极金属覆盖于碳化硅衬底的下方，阳极金属位于N+漂移区的上方。该二极管的正向压降较低，反向耐压较高。

本发明授权碳化硅结势垒肖特基二极管在权利要求书中公布了：1.碳化硅结势垒肖特基二极管，其特征在于，包括： 碳化硅衬底，所述碳化硅衬底的厚度小于或等于150um； N+缓冲区，所述N+缓冲区位于所述碳化硅衬底的上方，所述N+缓冲区设有第一外延层； N+漂移区，所述N+漂移区位于所述N+缓冲区的上方，所述N+漂移区设有第二外延层、第三外延层，其中，所述第二外延层覆盖在所述第一外延层上，所述第三外延层覆盖在所述第二外延层上，所述第二外延层的厚度为4um至20um之间，所述第三外延层的厚度为0.2um至0.7um之间，所述第三外延层的掺杂浓度大于所述第二外延层的掺杂浓度，且所述第三外延层的掺杂浓度小于所述第一外延层的掺杂浓度； 元胞区，所述元胞区位于所述N+缓冲区和所述N+漂移区的上方，所述元胞区包括P+结； 终端区，所述终端区位于所述N+漂移区的上方，所述终端区上设有P+场限环，所述终端区包括刻蚀区，用于通过对所述第三外延层进行刻蚀处理形成所述刻蚀区，所述刻蚀区的刻蚀深度等于第三外延层的厚度，刻蚀形貌的角度为15°至45°，刻蚀范围为P+场限环的注入区域； P+过渡区，所述P+过渡区位于所述元胞区与所述P+场限环之间、且位于所述刻蚀区之上； 隔离层，所述隔离层覆盖于所述终端区的上方； 钝化层，所述钝化层覆盖于所述隔离层的上方； 阴极金属，所述阴极金属覆盖于所述碳化硅衬底的下方，所述阴极金属与所述碳化硅衬底形成欧姆接触； 阳极金属，所述阳极金属位于N+漂移区的上方，所述阳极金属与所述P+结形成欧姆接触，所述阳极金属还与第三外延层形成肖特基接触。

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