中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司金吉松获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203632B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010986121.3，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构的形成方法是由金吉松;亚伯拉罕·庾设计研发完成，并于2020-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底上形成有沟道层结构；对沟道层结构进行氧化处理，形成位于沟道层结构表面的界面层；形成覆盖界面层的栅介质层；形成覆盖栅介质层的氧吸附层，适于吸附界面层中的氧离子；对氧吸附层、栅介质层和界面层进行第一退火处理，适于使界面层中的氧离子向氧吸附层中扩散，且在第一退火处理过程中，氧吸附层吸附氧离子；在第一退火处理后，去除氧吸附层。本发明在第一退火处理的过程中，界面层中的氧离子向氧吸附层中扩散并被氧吸附层吸附，界面层中的氧离子含量减少，从而减小了界面层的厚度，这有利于减少界面层中的杂质缺陷，相应降低沟道层结构与栅介质层之间的界面态密度，进而提高半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底上形成有沟道层结构； 对所述沟道层结构的表面进行氧化处理，形成位于所述沟道层结构表面的界面层； 形成覆盖所述界面层的栅介质层； 形成覆盖所述栅介质层的氧吸附层，所述氧吸附层适于吸附所述界面层中的氧离子； 对所述氧吸附层、栅介质层和界面层进行第一退火处理，所述第一退火处理适于使所述界面层中的所述氧离子向所述氧吸附层中扩散，且在所述第一退火处理过程中，所述氧吸附层吸附所述氧离子；其中，在所述第一退火处理过程中，所述界面层中的氧离子向所述氧吸附层朝向所述栅介质层的表面中扩散，形成阻挡层，所述阻挡层位于所述沟道层结构侧壁上的栅介质层和氧吸附层之间、以及位于所述沟道层结构顶部上的栅介质层和氧吸附层之间； 在所述第一退火处理后，去除所述氧吸附层。
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