中国科学院微电子研究所朱慧珑获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利具有替代侧墙的纳米线/片器件及制造方法及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114220857B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111521279.4，技术领域涉及：H10D30/43；该发明授权具有替代侧墙的纳米线/片器件及制造方法及电子设备是由朱慧珑设计研发完成，并于2021-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有替代侧墙的纳米线/片器件及制造方法及电子设备在说明书摘要公布了：公开了一种纳米线片器件及其制造方法及包括这种纳米线片器件的电子设备。根据实施例，纳米线片器件可以包括：衬底；与衬底的表面间隔开且沿第一方向延伸的纳米线片；位于纳米线片在第一方向上的相对两端且与纳米线片相接的源漏层；沿与第一方向相交的第二方向延伸以围绕纳米线片的栅堆叠；以及设置在栅堆叠的侧壁上的第一侧墙，其中，第一侧墙包括连续延伸的材料层，该连续延伸的材料层具有沿着纳米线片的表面的第一部分、沿着源漏层面向栅堆叠的侧壁的第二部分以及沿着栅堆叠面向源漏层的侧壁的第三部分，第二部分与第三部分之间具有缝隙或界面。
本发明授权具有替代侧墙的纳米线/片器件及制造方法及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种纳米线片器件，包括： 衬底； 与所述衬底的表面间隔开且沿第一方向延伸的纳米线片； 位于所述纳米线片在所述第一方向上的相对两端且与所述纳米线片相接的源漏层； 沿与第一方向相交的第二方向延伸以围绕所述纳米线片的栅堆叠；以及 设置在所述栅堆叠的侧壁上的第一侧墙， 其中，所述第一侧墙包括在竖直方向上与所述纳米线片相交叠的第一部分侧墙以及在所述第一部分侧墙在所述第二方向上的相对两侧、从所述第一部分侧墙延伸的第二部分侧墙和第三部分侧墙，所述第一部分侧墙、所述第二部分侧墙和所述第三部分侧墙具有连续延伸的材料层，所述第一部分侧墙具有沿着所述纳米线片的表面的第一部分、沿着所述源漏层面向所述栅堆叠的侧壁的第二部分以及沿着所述栅堆叠面向所述源漏层的侧壁的第三部分，所述第二部分与所述第三部分之间具有缝隙或界面。
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