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龙图腾网获悉之江实验室申请的专利一种基于单端结构的太赫兹单片集成次谐波混频器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114244280B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111548334.9，技术领域涉及：H03D7/16；该发明授权一种基于单端结构的太赫兹单片集成次谐波混频器是由韩欣丽;余显斌;卢驰设计研发完成，并于2021-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于单端结构的太赫兹单片集成次谐波混频器在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于单端结构的太赫兹单片集成次谐波混频器，涉及太赫兹混频器技术领域。所述混频器包括衬底，衬底上形成有混频电路，本振输入端口经隔直电容的输出端，分别连接本振匹配滤波结构的一端和偏置电路的一端，本振匹配滤波结构的另一端连接混频元件的栅极，偏置电路的另一端连接Vg加电端；射频端口经射频滤波结构分别与射频匹配结构和中频滤波结构连接，射频匹配结构的另一端连接混频元件的漏极，中频滤波结构的另一端与中频端口连接。所述混频元件为共源结构FETHEMT管芯，所述方案利用混频元件的平方律特性，实现基于单端结构的太赫兹单片集成次谐波混频器，在宽带范围内具有低变频损耗、小尺寸和高端口隔离度等性能指标。

本发明授权一种基于单端结构的太赫兹单片集成次谐波混频器在权利要求书中公布了：1.一种基于单端结构的太赫兹单片集成次谐波混频器，其特征在于：包括衬底，且所述衬底上形成有混频电路，所述混频电路包括本振输入端口、隔直电容、偏置电路、本振匹配滤波结构、混频元件、射频匹配结构、射频滤波结构、射频端口、中频滤波结构、中频端口；本振输入端口经隔直电容的输出端分别连接本振匹配滤波结构的一端和偏置电路的一端，本振匹配滤波结构的另一端连接混频元件的栅极，偏置电路的另一端连接Vg加电端；所述射频端口经射频滤波结构分别与射频匹配结构和中频滤波结构连接，射频匹配结构的另一端连接混频元件的漏极，中频滤波结构的另一端与中频端口连接； 所述混频元件为共源结构FETHEMT管芯，当射频信号为输入信号时，与本振信号的二次谐波进行混频，混频所产生的中频信号经过中频滤波结构进行滤波后输出；当中频信号为输入信号时，与本振信号的二次谐波进行混频，混频所产生的射频信号经射频匹配结构、射频滤波结构进行匹配滤波后输出； 所述混频电路为微带线设计，所述本振输入端口经一个隔直平板电容的输出端，分别连接本振匹配滤波结构的一端和偏置电路的一端，偏置电路为串联高阻抗电阻并联电容到地结构； 所述的隔直平板电容和并联电容采用化合物半导体工艺中金属-绝缘体-金属结构的平板电容，高阻抗电阻采用化合物半导体工艺中的薄膜电阻。

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