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龙图腾网获悉无锡中微亿芯有限公司申请的专利一种分段式控制的flash型FPGA的配置方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114300023B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111582283.1，技术领域涉及：G11C16/12；该发明授权一种分段式控制的flash型FPGA的配置方法是由曹正州;单悦尔;张艳飞;谢文虎;孙佩;胡恩泽设计研发完成，并于2021-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种分段式控制的flash型FPGA的配置方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种分段式控制的flash型FPGA的配置方法，涉及flash型FPGA领域，该方法依次对flash开关单元执行若干次配置操作，每一次配置操作按照相应的操作参数进行，且执行完一次配置操作后回读flash开关单元的电流，并基于回读的电流调整下一次配置操作的操作参数，直至完成配置操作；该方法采用分段式控制的编程和擦除流程，及时调整编程和擦除时的操作参数，可以实现对flash开关单元在擦除和编程后阈值电压分布的精确控制，保证了驱动的一致性和低的关断电流,为flash型FPGA提供了高精度的延迟参数和低的静态功耗。

本发明授权一种分段式控制的flash型FPGA的配置方法在权利要求书中公布了：1.一种分段式控制的flash型FPGA的配置方法，其特征在于，所述方法包括：在执行第一次擦除操作前，若flash开关单元不处于编程态，对所述flash开关单元执行编程操作，使所述flash开关单元进入编程态后，执行第一次擦除操作，flash开关单元的编程态是flash开关单元的浮栅中存有电子的状态；依次对flash型FPGA中的flash开关单元执行若干次配置操作，每一次配置操作按照相应的操作参数进行，且执行完一次配置操作后回读flash开关单元的电流； 当基于回读的电流确定flash开关单元的阈值电压仍未在预设范围内，且确定执行配置操作的次数未达到次数阈值上限时，基于回读的电流调整下一次配置操作的操作参数； 当基于回读的电流确定flash开关单元的阈值电压仍未在预设范围内，且确定执行配置操作的次数达到所述次数阈值上限时，确定配置操作执行失败，并调整第一次执行配置操作时的操作参数重新从第一次配置操作开始执行； 当基于回读的电流确定flash开关单元的阈值电压在预设范围内时，完成对flash开关单元的所有配置操作，回读的flash开关单元的电流与flash开关单元的阈值电压相关，所述配置操作为擦除操作或编程操作，对flash开关单元执行的各次擦除操作所使用的操作参数的擦除强度依次降低，对flash开关单元执行的各次编程操作所使用的操作参数的编程强度依次降低。

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