意法半导体股份有限公司F·塞利尼获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利具有改进形状的电极结构及包括该电极结构的电子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114373742B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111191134.2，技术领域涉及：H10W44/00；该发明授权具有改进形状的电极结构及包括该电极结构的电子器件是由F·塞利尼;S·阿多尔诺;D·帕希;M·萨利纳设计研发完成，并于2021-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有改进形状的电极结构及包括该电极结构的电子器件在说明书摘要公布了：公开了具有改进形状的电极结构及包括该电极结构的电子器件。一种电极结构，包括：焊盘，由导电材料制成；以及导电条，具有物理地且电气地耦合到焊盘的第一端。焊盘包括在内部限定贯通开口的环形元件。导电条的第一端通过过渡区域物理地且电气地耦合到环形元件，使得当导电条由于热效应而膨胀时，应力通过过渡区域从导电条扩散到环形元件。
本发明授权具有改进形状的电极结构及包括该电极结构的电子器件在权利要求书中公布了：1.一种电极结构，包括： 第一焊盘，由导电材料制成；以及 导电条，具有第一端，所述第一端物理地且电气地耦合到所述第一焊盘， 其中所述第一焊盘包括第一环形元件，所述第一环形元件在内部限定第一贯通开口，并且 其中所述导电条的所述第一端通过第一过渡区域被物理地且电气地耦合到所述第一环形元件，使得当所述导电条由于热效应而经受膨胀时，应力通过所述第一过渡区域从所述导电条传递至所述第一环形元件， 其中所述第一过渡区域具有朝向所述第一环形元件变宽的锥形形状， 其中所述第一过渡区域的锥形形状由弯曲侧表面界定，所述弯曲侧表面具有大于或等于50μm的相应曲率半径。
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