联华电子股份有限公司方玲刚获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利半导体元件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420749B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011174734.3，技术领域涉及：H10D64/00；该发明授权半导体元件及其制造方法是由方玲刚设计研发完成，并于2020-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体元件及其制造方法，其中该半导体元件结构包括基板。第一栅极绝缘层设置在所述基板上。第二栅极绝缘层设置在所述基板上，比所述第一栅极绝缘层厚且与第一栅极绝缘层相邻。栅极层具有第一部分栅极在所述第一栅极绝缘层上以及第二部分栅极在所述第二栅极绝缘层上。介电层具有上部介电层与下部介电层。所述上部介电层接触在所述栅极层上，且所述下部介电层接触在所述基板上。场板层设置在所述介电层上，且包含空乏区，至少设置在所述下部介电层上。
本发明授权半导体元件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件结构，其特征在于，包括: 基板; 第一栅极绝缘层，设置在所述基板上; 第二栅极绝缘层，设置在所述基板上，比所述第一栅极绝缘层厚且与第一栅极绝缘层相邻; 栅极层，具有第一部分栅极在所述第一栅极绝缘层上以及第二部分栅极在所述第二栅极绝缘层上; 介电层，具有上部介电层与下部介电层，所述上部介电层接触在所述栅极层上，且所述下部介电层接触在所述基板上;以及 场板层，设置在所述介电层上，且包含空乏区，其中所述空乏区至少设置在所述下部介电层上，所述场板层还包括掺杂多晶硅层或是掺杂硅层在所述空乏区上，所述空乏区是未掺杂区域或是趋近于未掺杂的程度。
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