中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司陈卓凡获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446770B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011189582.4，技术领域涉及：H10P76/40；该发明授权半导体结构及其形成方法是由陈卓凡;姜长城;郑春生设计研发完成，并于2020-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供了一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的多个栅极结构、位于所述栅极结构上的第一停止层，以及位于所述栅极结构之间的掺杂电极；在所述掺杂电极上形成第二停止层，所述第二停止层用于在刻蚀所述第一停止层的步骤中同时被刻蚀；形成覆盖所述第一停止层和所述第二停止层的层间介质层；在所述层间介质层上形成图形化的金属硬掩膜层；以所述金属硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述层间介质层、第一停止层和第二停止层，直至形成暴露所述栅极结构的第一通孔和暴露所述掺杂电极的第二通孔，在形成暴露栅极结构和掺杂电极的通孔的过程中，能够满足相高的特征尺寸的要求。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的多个栅极结构、位于所述栅极结构上的第一停止层，以及位于所述栅极结构之间的掺杂电极； 在所述掺杂电极上形成第二停止层，所述第二停止层用于在刻蚀所述第一停止层的步骤中同时被刻蚀；所述第二停止层的顶面高于所述第一停止层的顶面，且所述第二停止层顶面的横向尺寸大于所述第二停止层底面的横向尺寸； 形成覆盖所述第一停止层和所述第二停止层的层间介质层； 在所述层间介质层上形成图形化的金属硬掩膜层； 以所述金属硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述层间介质层、第一停止层和第二停止层，直至形成暴露所述栅极结构的第一通孔和暴露所述掺杂电极的第二通孔。
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