株式会社电装河野宪司获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社电装申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114514617B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080064590.8，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权半导体装置是由河野宪司设计研发完成，并于2020-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：具备源电极、漏电极和控制在源电极与漏电极之间流过的电流的栅极。并且，若将栅极与漏电极之间的电容设为第一电容Cgd，将栅极与源电极之间的电容设为第二电容Cgs，将第一电容Cgd与第二电容Cgs之和设为第三电容Ciss，将用电流变化率dIdt规定的第一开关损耗EtdIdt与用电压变化率dVdt规定的第二开关损耗EtdVdt之和设为总开关损耗Esum，则第一电容Cgd相对于第三电容Ciss的电容比CgdCiss被设为总开关损耗Esum低于规定阈值的比。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具有栅极15、116，其特征在于，具备： 源电极25、120； 漏电极26、121；以及 所述栅极，该栅极控制在所述源电极与所述漏电极之间流过的电流； 若将所述栅极与所述漏电极之间的电容设为第一电容Cgd，将所述栅极与所述源电极之间的电容设为第二电容Cgs，将所述第一电容与所述第二电容之和设为第三电容Ciss， 并且将用电流变化率dIdt规定的第一开关损耗EtdIdt与用电压变化率dVdt规定的第二开关损耗EtdVdt之和设为总开关损耗Esum， 则所述第一电容相对于所述第三电容的电容比CgdCiss被设为所述总开关损耗低于规定阈值的比， 若将Vd设为电源电压，将Id设为动作电流，将Vm设为栅极米勒电位，将Vth设为栅极的阈值电压，将gm设为IdVm－Vth，则所述电容比被设为下述数学式1以上且下述数学式2以下： [数学式1] CgdCiss＝Idgm×Vd [数学式2] CgdCiss＝dIdtgm×dVdt。
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