美光科技公司M·A·史密斯获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利用于半导体装置的高电压隔离装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114550767B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111311797.3，技术领域涉及：G11C7/12；该发明授权用于半导体装置的高电压隔离装置是由M·A·史密斯设计研发完成，并于2021-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于半导体装置的高电压隔离装置在说明书摘要公布了：本文中公开用于半导体装置的高电压隔离装置及相关联系统。所述隔离装置可支持所述半导体装置的3维NAND存储器阵列的操作。在一些实施例中，在高电压操作例如擦除操作期间，所述隔离装置可将高电压提供到所述存储器阵列，同时隔离支持所述存储器阵列的低电压操作的其它电路系统与所述高电压。所述隔离装置可包含分离所述低电压电路系统与所述高电压的一组窄有源区及所述窄有源区之上的栅极。在另一实施例中，所述隔离装置包含交指型窄有源区及在所述交指型窄有源区之上用于减小由所述隔离装置占据的面积的共同栅极。
本发明授权用于半导体装置的高电压隔离装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其包括： 有源区，其包含具有一或多个源极触点的中间区域及具有单列位线触点的外区域； 多个交指型有源沟道，其包含：1多个第一有源沟道，其连接到所述外区域的边缘，其中所述第一有源沟道中的每一者与对应位线触点对准且在正交于所述单列位线触点的第一方向上延伸；及2多个第二有源沟道，其与所述外区域的所述边缘间隔开，其中所述第二有源沟道平行于所述第一有源沟道，使得个别第一有源沟道与个别第二有源沟道交替；及 共同栅极，其在所述多个交指型有源沟道之上，所述共同栅极在平行于所述单列位线触点的第二方向上延伸且经配置以与所述多个交指型有源沟道耦合。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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