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龙图腾网获悉华进半导体封装先导技术研发中心有限公司申请的专利一种具有多向通信功能的芯片封装结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114566474B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210192453.3，技术领域涉及：H10W70/652；该发明授权一种具有多向通信功能的芯片封装结构及其形成方法是由陶烜;曹立强设计研发完成，并于2022-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有多向通信功能的芯片封装结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种具有多向通信功能的芯片封装结构，包括：芯片堆叠结构，其包括彼此堆叠的多个第一芯片，其中所述芯片堆叠结构具有正面、背面和多个侧面；以及天线封装结构，其布置在所述芯片堆叠结构的多个侧面，其中所述天线封装结构被配置为接收和或发送信号。本发明还涉及一种具有多向通信功能的芯片封装结构的形成方法。

本发明授权一种具有多向通信功能的芯片封装结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种具有多向通信功能的芯片封装结构，其特征在于，包括： 芯片堆叠结构，其包括彼此堆叠的多个第一芯片，其中所述芯片堆叠结构具有正面、背面和多个侧面；以及 天线封装结构，其布置在所述芯片堆叠结构的多个侧面，其中所述天线封装结构被配置为接收和或发送信号； 芯片堆叠结构包括： 多个第一芯片，其具有正面、侧面和与正面相对的背面； 第一金属层，其位于所述第一芯片的正面； 第二金属层，其位于所述第一芯片的侧面； 第一隔离层，其位于所述第一芯片与所述第一金属层或所述第二金属层之间； 第一绝缘层，其位于所述第一芯片的正面；以及 第一重布线层，其位于所述第一绝缘层内，并与所述第一金属层电连接； 天线封装结构包括： 第二芯片，其具有正面、侧面和与正面相对的背面； 第三金属层，其位于所述第二芯片的正面； 第四金属层，其位于所述第二芯片的侧面； 第二隔离层，其位于所述第二芯片与所述第三金属层或所述第四金属层之间； 第二绝缘层，其位于所述第二芯片的正面； 第二重布线层，其位于所述第二绝缘层内，并与所述第三金属层电连接； 塑封层，其位于所述第二芯片的背面和侧面； 导电通孔，其贯穿所述塑封层，并与所述第三金属层电连接； 天线，其位于所述塑封层的表面，并与所述导电通孔电连接；以及 焊球，其与第二重布线层电连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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