通威太阳能(成都)有限公司王璞获国家专利权
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龙图腾网获悉通威太阳能(成都)有限公司申请的专利一种金属电极、晶硅太阳电池及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114583012B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210217977.3，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种金属电极、晶硅太阳电池及制备方法是由王璞设计研发完成，并于2022-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种金属电极、晶硅太阳电池及制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种金属电极、晶硅太阳电池及制备方法，涉及晶硅太阳电池生产技术领域。金属电极的制备方法主要是在基片的表面刮涂正性光刻胶，定形、光刻，形成对应图形的凹槽；使用磁控溅射技术或反应等离子体沉积技术在凹槽内依次形成种子层和铜电极，且种子层和铜电极的总高度低于正性光刻胶层的高度。晶硅太阳电池的制备方法主要是采用如上述的金属电极的制备方法形成正面和背面金属电极；分别在正面和背面金属电极上刮涂负性光刻胶，移除正性光刻胶层；在硅衬底的正面和背面形成减反射膜和钝化膜，移除负性光刻胶层。金属电极的的制备方法、晶硅太阳电池及其制备方法，电极品质优异，高宽比高，电池的效率高。
本发明授权一种金属电极、晶硅太阳电池及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种金属电极的制备方法，其特征在于，其主要是在基片的表面刮涂正性光刻胶，定形形成正性光刻胶层，所述基片包括硅衬底和叠加设置于所述硅衬底正面的磷源掺杂层；对所述正性光刻胶层进行光刻，形成对应图形的凹槽；使用磁控溅射技术或反应等离子体沉积技术在所述凹槽内依次形成种子层和铜电极，且所述种子层和所述铜电极的总高度低于所述正性光刻胶层的高度，所述种子层的宽度为10~20μm，高度为2~5μm；所述铜电极的宽度为10~20μm，高度为5~15μm。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人通威太阳能(成都)有限公司，其通讯地址为：610000 四川省成都市双流区西南航空港经济开发区工业集中发展区六期内；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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