中国科学院微电子研究所赵雪峰获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利基于离子门调控的可重构神经元器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649468B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210205501.8，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权基于离子门调控的可重构神经元器件及其制备方法是由赵雪峰;邢国忠;王迪;王紫崴;刘龙;林淮;张昊设计研发完成，并于2022-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于离子门调控的可重构神经元器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种基于离子门调控的可重构神经元器件及其制备方法，涉及人工神经元存储器件技术领域。该器件包括：由下至上依次层叠的合成反铁磁层、金属氧化物层、离子液体层和顶电极层，合成反铁磁层的底端相对的两个边缘上设置有磁化方向相反的左边界反铁磁层和右边界反铁磁层，合成反铁磁层的底端中部还设置用于输出尖峰信号的磁性隧道结；其中，金属氧化物层、离子液体层和顶电极层构成离子门，离子液体层包括正离子和负离子，当顶电极层施加输入电压时，金属氧化物层中的氧离子随着离子液体层中的正离子和负离子的分布而移动，以调整合成反铁磁层顶部界面的电荷积累，从而通过RKKY作用调控合成反铁磁层底部的磁畴壁的泄露运动速度。
本发明授权基于离子门调控的可重构神经元器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于离子门调控的可重构神经元器件，其特征在于，包括： 由下至上依次层叠的合成反铁磁层、金属氧化物层103、离子液体层102和顶电极层101，所述合成反铁磁层的底端相对的两个边缘上设置有磁化方向相反的左边界反铁磁层和右边界反铁磁层，所述合成反铁磁层的底端中部还设置用于输出尖峰信号的磁性隧道结109； 其中，所述金属氧化物层103的材料包括HfZrO，所述金属氧化物层103、离子液体层102和顶电极层101构成离子门，所述离子液体层102包括正离子和负离子，当所述顶电极层101施加输入电压Vg时，所述金属氧化物层103中的氧离子随着所述离子液体层102中的正离子和负离子的分布而移动，以调整所述合成反铁磁层顶部界面的电荷积累，从而通过RKKY作用调控所述合成反铁磁层底部的磁畴壁的泄露运动速度。
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