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龙图腾网获悉无锡芯铭微电子有限公司申请的专利针对随机写性能优化的免外置缓存的SSD映射表计算方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114661229B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111662237.2，技术领域涉及：G06F3/06；该发明授权针对随机写性能优化的免外置缓存的SSD映射表计算方法是由刘松宁设计研发完成，并于2021-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本针对随机写性能优化的免外置缓存的SSD映射表计算方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种针对随机写性能优化的免外置缓存的SSD映射表计算方法，包括：当SSD处理一笔新的写入命令请求时，通过哈希算法获得该写入命令的逻辑地址LTA对应查询索引表WLT链表位置；查询地址缓存表WCT的缓存状态后，插入或更新逻辑地址LTA到地址缓存表WCT；地址缓存表WCT更新完查询索引表WLT检索链表后，根据逻辑地址LTA，计算缓存刷新索引表UT链表的位置，并更新缓存刷新索引表UT信息；当地址缓存表WCT满足刷新条件后，将地址缓存表WCT的地址信息刷新到计算机闪存设备NAND中，并释放地址缓存表WCT对应元素。本发明同步引入了查询索引表和刷新索引表，通过查询索引表和缓存刷新索引表对地址缓存表进行高效管理。

本发明授权针对随机写性能优化的免外置缓存的SSD映射表计算方法在权利要求书中公布了：1.针对随机写性能优化的免外置缓存的SSD映射表计算方法，其特征在于，包括： 当SSD处理一笔新的写入命令请求时，通过哈希算法获得该写入命令的逻辑地址LTA对应查询索引表WLT链表位置； 查询地址缓存表WCT的缓存状态后，插入或更新逻辑地址LTA到地址缓存表WCT； 地址缓存表WCT更新完查询索引表WLT检索链表后，根据逻辑地址LTA，计算缓存刷新索引表UT链表的位置，并更新缓存刷新索引表UT信息； 当地址缓存表WCT满足刷新条件后，将地址缓存表WCT的地址信息刷新到计算机闪存设备NAND中，并释放地址缓存表WCT对应元素； 所述地址缓存表WCT用于缓存每一笔写入数据的逻辑地址LTA和对应的闪存物理地址PPA； 所述查询索引表WLT用于查询地址缓存表WCT指定逻辑地址LTA的缓存状态，址缓存表WCT中各个有效元素都属于记录在对应的查询索引表WLT中； 所述缓存刷新索引表UT用于将地址缓存表WCT缓存表中属于相同UT元素集中刷新。

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