昆明理工大学刘雪蓉获国家专利权
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龙图腾网获悉昆明理工大学申请的专利一种柔性多栅电极突触晶体管及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114665016B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210326807.9，技术领域涉及：H10K10/46；该发明授权一种柔性多栅电极突触晶体管及其制备方法和应用是由刘雪蓉;余雪设计研发完成，并于2022-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种柔性多栅电极突触晶体管及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开一种柔性多栅电极突触晶体管及其制备方法和应用，属于半导体器件和神经形态计算领域。本发明所述柔性多栅电极突触晶体管包括绝缘衬底、沟道层、电解质、源电极、漏电极、栅电极Ⅰ、栅电极Ⅱ，沟道层、源电极、漏电极、栅电极Ⅰ、栅电极Ⅱ位于绝缘衬底，电解质覆盖在沟道层、栅电极Ⅰ、栅电极Ⅱ上面；绝缘衬底为柔性，晶体管可在弯曲条件下稳定工作，栅电极Ⅰ、栅电极Ⅱ同步接收电脉冲刺激。本发明所述柔性多栅电极突触晶体管结构简单，工艺简便；所述柔性多栅电极晶体管具有多个输入端，在多端口同步输入的电脉冲可导致器件电流的超线性求和，有助于形成准确和稳定的记忆，从而执行符合检测计算和存储器操作。
本发明授权一种柔性多栅电极突触晶体管及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种柔性多栅电极突触晶体管，其特征在于：包括绝缘衬底1、沟道层2、电解质3、源电极4、漏电极5、栅电极Ⅰ6、栅电极Ⅱ7，沟道层2、源电极4、漏电极5、栅电极Ⅰ6、栅电极Ⅱ7位于绝缘衬底1，电解质3覆盖在沟道层2、栅电极Ⅰ6、栅电极Ⅱ7上面；绝缘衬底1为柔性，晶体管可在弯曲条件下稳定工作，栅电极Ⅰ6、栅电极Ⅱ7同步接收电脉冲刺激； 所述绝缘衬底1为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺中的一种； 所述沟道层2材料为聚3-烷基噻吩中的一种； 所述源电极4、漏电极5、栅电极Ⅰ6、栅电极Ⅱ7的制备过程为：Cr或Ti与绝缘衬底接触作为粘接层，Au、Pt或者W沉积在Ti上，所述粘接层的厚度为1～10nm，所述Au、Pt或者W的厚度为40～100nm； 所述电解质3为离子凝胶电解质，包含对电子绝缘的聚合物和离子液体，其中离子液体提供了电解质中的可移动离子，对沟道电导进行调控。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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