武汉大学胡耀武获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉大学申请的专利一种低成本亚微米精度激光模板光刻装置与方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114690590B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210430461.7，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种低成本亚微米精度激光模板光刻装置与方法是由胡耀武;许硕恒;王子峰;夏敏设计研发完成，并于2022-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低成本亚微米精度激光模板光刻装置与方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种低成本亚微米精度激光模板光刻装置及方法，包括旋涂有光刻胶的衬底、光刻模板以及激光光源，所述光刻模板放置在旋涂有光刻胶的衬底上，激光光源安装在移动平台上造成激光与衬底的相对位置移动形成扫描，激光脉冲出光与移动行为关联，所述激光光源光斑直径小于3厘米并大于10微米。将模板与衬底分离并对曝光样品进行显影，得到光刻图案。本发明采用上述激光模板光刻方法，可以得到亚微米精度高可靠低成本的光刻图案。
本发明授权一种低成本亚微米精度激光模板光刻装置与方法在权利要求书中公布了：1.一种低成本亚微米精度激光模板光刻装置，其特征在于：包括旋涂有光刻胶的衬底、光刻模板以及激光光源，激光光源通过支撑结构垂直设置在光刻模板上方，激光光源与支撑结构可相对移动，所述光刻模板放置在旋涂有光刻胶的衬底上，激光光源安装在移动平台上造成激光与衬底的相对位置移动形成扫描，激光脉冲出光与移动行为关联，所述激光光源光斑直径小于3厘米并大于10微米。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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