国民大学校产学协力团都永洛获国家专利权
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龙图腾网获悉国民大学校产学协力团申请的专利从晶片分离多个LED结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695604B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111624662.2，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权从晶片分离多个LED结构的方法是由都永洛设计研发完成，并于2021-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本从晶片分离多个LED结构的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及从晶片分离多个LED结构的方法，据此不受晶片内是否存在牺牲层的限制，并且无需在制造晶片当时就预先特定设计半导体层的厚度，而是通过商用化的晶片可轻松且无损伤地从晶片分离具有目标大小、厚度及形状的LED结构。
本发明授权从晶片分离多个LED结构的方法在权利要求书中公布了：1.一种从晶片分离多个LED结构的方法，其为从形成有多个LED结构的LED晶片分离所述多个LED结构的方法，所述多个LED结构包括在掺杂的n型III族氮化物半导体层的第一部分上与所述第一部分接连的掺杂的n型III族氮化物半导体层的第二部分，所述从晶片分离多个LED结构的方法的特征在于，包括： 步骤1，形成保护膜，以包围多个LED结构各个的暴露面，且使相邻的LED结构之间的第一部分上部面暴露在外部； 步骤2，将LED晶片浸入电解液，之后与电源的任意一个端子电连接，并且将电源的剩余端子连接于浸入所述电解液的电极之后施加电源，以在所述第一部分形成多个气孔；及 步骤3，对于所述LED晶片施加超声波以通过塌陷所述多个气孔来从第一部分分离多个LED结构，其中多个分离的LED结构中的掺杂的n型III族氮化物半导体层包括通过塌陷多个气孔形成的槽。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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