西部数据技术公司B·普拉萨德获国家专利权
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龙图腾网获悉西部数据技术公司申请的专利多铁辅助电压控制磁各向异性存储器设备及其制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114730832B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202180006547.0,技术领域涉及:H10N50/10;该发明授权多铁辅助电压控制磁各向异性存储器设备及其制造方法是由B·普拉萨德;A·卡利佐夫;N·史密斯设计研发完成,并于2021-06-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本多铁辅助电压控制磁各向异性存储器设备及其制造方法在说明书摘要公布了:一种磁性存储器设备包含第一电极、第二电极和位于第一电极与第二电极之间的层叠堆。该层叠堆包含参考层、隧道势垒层、自由层和包含至少一种晶粒的磁电多铁层。该磁电多铁层的磁化可以是轴向的、侧倾的或平面内的。对于磁电多铁层的轴向或侧倾磁化,可通过与磁电多铁层的磁化的轴向分量耦合来实现自由层的确定性切换。替代地,磁电多铁层的平面内磁化可用于诱导自由层的磁化角度的进动。
本发明授权多铁辅助电压控制磁各向异性存储器设备及其制造方法在权利要求书中公布了:1.一种磁性存储器设备,所述磁性存储器设备包括: 第一电极; 第二电极;和 层叠堆,所述层叠堆位于所述第一电极与所述第二电极之间且从一侧到另一侧依次包括:参考层、隧道势垒层、自由层和包含至少一种晶粒的磁电多铁层,所述至少一种晶粒沿轴向方向或沿相对于所述轴向方向具有小于90度的第一倾斜角的第一倾斜方向具有易磁化轴,所述轴向方向垂直于所述自由层与所述隧道势垒层之间的界面;并且 其中所述磁性存储器设备进一步包括编程电路,所述编程电路被配置成在所述第一电极与所述第二电极之间施加编程电压模式,其中所述编程电压模式包括: 第一编程电压模式,所述第一编程电压模式包括具有第一极性且量值大于足以切换所述磁电多铁层的磁化方向的矫顽电压的第一电压;和 第二编程电压模式,所述第二编程电压模式包括具有与所述第一极性相反的第二极性且量值大于所述矫顽电压的第二电压,随后是具有所述第一极性且量值小于所述矫顽电压的第三电压。
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