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龙图腾网获悉桑迪士克科技有限责任公司申请的专利含有凹状接合焊盘的半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114762106B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080081817.X，技术领域涉及：H10W72/90；该发明授权含有凹状接合焊盘的半导体结构及其形成方法是由R·沙朗帕尼;R·S·马卡拉;A·拉贾谢哈尔;S·卡纳卡梅达拉;周非设计研发完成，并于2020-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本含有凹状接合焊盘的半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：第一半导体裸片包括：第一半导体器件，该第一半导体器件位于第一衬底上方；第一互连层级介电材料层，该第一互连层级介电材料层嵌入第一金属互连结构并位于该第一半导体器件上；以及第一焊盘层级介电层，该第一焊盘层级介电层位于该第一互连层级介电材料层上并嵌入第一接合焊盘。该第一接合焊盘中的每个第一接合焊盘包括第一近侧水平表面和至少一个第一远侧水平表面，比起该第一近侧水平表面远离该第一衬底，该第一远侧水平表面更远离该第一衬底，并且具有比该第一近侧水平表面的总面积小的总面积。包括嵌入在第二焊盘层级介电层中的第二接合焊盘的第二半导体裸片能够接合到该第一接合焊盘的相应远侧表面。

本发明授权含有凹状接合焊盘的半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种结构，所述结构包括第一半导体裸片，所述第一半导体裸片包括： 第一半导体器件，所述第一半导体器件位于第一衬底上方； 第一互连层级介电材料层，所述第一互连层级介电材料层位于所述第一半导体器件上，第一金属互连结构嵌入在所述第一互连层级介电材料层中；和 第一焊盘层级介电层，所述第一焊盘层级介电层位于所述第一互连层级介电材料层上并且第一接合焊盘嵌入在所述第一焊盘层级介电层中，其中所述第一接合焊盘中的每个第一接合焊盘包括第一焊盘基座部分和至少一个第一焊盘柱部分，所述至少一个第一焊盘柱部分具有比所述第一焊盘基座部分小的面积，并且比起所述第一焊盘基座部分远离所述第一衬底，所述至少一个第一焊盘柱部分更远离所述第一衬底；并且 其中： 所述第一焊盘层级介电层包括近侧焊盘层级介电层和远侧焊盘层级介电层的堆叠； 所述第一焊盘基座部分中的每个第一焊盘基座部分嵌入在所述近侧焊盘层级介电层中；并且 所述至少一个第一焊盘柱部分中的每个第一焊盘柱部分接触所述远侧焊盘层级介电层；并且 其中在接合过程的高温操作前，所述至少一个第一焊盘柱部分的顶部表面位于包括所述远侧焊盘层级介电层的远侧水平表面的水平平面下方。

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