铠侠股份有限公司铃木良尚获国家专利权
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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114792533B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110879272.3，技术领域涉及：G11C5/14；该发明授权半导体存储装置是由铃木良尚;柴山遥香设计研发完成，并于2021-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储装置在说明书摘要公布了：本发明的一实施方式能抑制电压产生电路的面积增加、及电压产生电路所消耗的电流量增加。一实施方式的半导体存储装置具备：第1存储单元；及电压产生电路，包含具有第1特性的第1电荷泵、及具有第2特性的第2电荷泵，向第1存储单元供给电压。电压产生电路在向第1存储单元供给第1电压的第1动作中，将第1电荷泵与第2电荷泵之间电切断，在向第1存储单元供给高于第1电压的第2电压的第2动作中，将第1电荷泵的输出端与第2电荷泵的输入端之间电连接。
本发明授权半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，具备： 第1存储单元；及 电压产生电路，包含具有第1特性的第1电荷泵、及具有第2特性的第2电荷泵，向所述第1存储单元供给电压，其中所述第1电荷泵及所述第2电荷泵各自具有输入端及输出端；且 作为所述电压产生电路， 在向所述第1存储单元供给第1电压的第1动作中，将所述第1电荷泵与所述第2电荷泵之间电切断， 在向所述第1存储单元供给高于所述第1电压的第2电压的第2动作中，将所述第1电荷泵的输出端与所述第2电荷泵的输入端之间电连接； 所述第1特性包括从所述第1电荷泵的输出端供给的电流量是第1电流量； 所述第2特性包括从所述第2电荷泵的输出端供给的电流量是第2电流量； 所述第1电流量大于所述第2电流量； 所述第1特性包括：在从所述第1电荷泵的输出端输出了所述第2电压的情况下，所述第2电压与已输入至所述第1电荷泵的输入端的电压的比率成为第1比率； 所述第2特性包括：在从所述第2电荷泵的输出端输出了所述第2电压的情况下，所述第2电压与已输入至所述第2电荷泵的输入端的电压的比率成为第2比率； 所述第1比率低于所述第2比率。
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