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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种用于半导体器件的薄膜及其制造方法、半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114792623B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110100458.4，技术领域涉及：H10P76/20；该发明授权一种用于半导体器件的薄膜及其制造方法、半导体器件是由金廷修;白国斌;高建峰;王桂磊;丁云凌;崔恒玮设计研发完成，并于2021-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于半导体器件的薄膜及其制造方法、半导体器件在说明书摘要公布了：本发明公开一种用于半导体器件的薄膜及其制造方法、半导体器件，涉及半导体制作技术领域，利用具有第一粗糙度的第一减反膜优化图案化光刻胶的同时，利用具有第二粗糙度的第二减反膜优化图案化结构，即利用双层的减反射层提高图案化结构的图形质量，优化半导体器件和应用该半导体器件的电子设备的工作性能。包括提供一衬底；在衬底上形成第一减反射膜，第一减反射膜具有第一粗糙度；在第一减反射膜上形成第二减反射膜，第二减反射膜具有第二粗糙度；第二粗糙度小于第一粗糙度；在第二减反射膜上形成图案化光刻胶；以图案化光刻胶为掩膜，对衬底、第一减反射膜以及第二减反射膜进行图形化处理，得到图案化结构。

本发明授权一种用于半导体器件的薄膜及其制造方法、半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种用于半导体器件的薄膜制造方法，其特征在于，包括： 提供一衬底； 在所述衬底的上表面形成第一减反射膜，所述第一减反射膜具有第一粗糙度； 在所述第一减反射膜的上表面形成第二减反射膜，且在同一腔体中形成所述第一减反射膜和所述第二减反射膜；所述第二减反射膜具有第二粗糙度；所述第二粗糙度小于所述第一粗糙度；所述第一减反射膜为氧化硅减反射膜；所述第二减反射膜为氮氧化硅减反射膜； 在所述第二减反射膜的上表面形成图案化光刻胶； 以所述图案化光刻胶为掩膜，采用湿法刻蚀，对所述衬底、所述第一减反射膜以及所述第二减反射膜进行图形化处理，得到图案化结构； 所述在同一腔体中形成所述第一减反射膜和所述第二减反射膜包括： 在第一预设时间内，在所述衬底的上表面形成所述第一减反射膜； 在第二预设时间内，在所述第一减反射膜的上表面形成所述第二减反射膜；所述第二预设时间和所述第一预设时间的时间间隔大于或等于零； 所述在第一预设时间内，在所述衬底的上表面形成所述第一减反射膜包括： 向腔体内通入硅烷硅源和一氧化二氮氮源，以在所述衬底的上表面形成所述第一减反射膜；所述第一减反射膜的轮廓最大峰值为1.33纳米； 所述在第二预设时间内，在所述第一减反射膜的上表面形成所述第二减反射膜包括： 向所述腔体内通入硅烷硅源和一氧化二氮、氨气氮源，并增大氨气的通入量，以在所述第一减反射膜的上表面形成所述第二减反射膜；所述第二减反射膜的轮廓最大峰值为0.68纳米； 所述第一减反射膜和所述第二减反射膜的厚度比是1:1至19:1。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司，其通讯地址为：100029 北京市朝阳区北土城西路3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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