爱思开海力士有限公司;东京应化工业株式会社吴庆姬获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司;东京应化工业株式会社申请的专利稀释剂组合物和处理半导体衬底的表面的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114815531B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210105865.9，技术领域涉及：G03F7/42；该发明授权稀释剂组合物和处理半导体衬底的表面的方法是由吴庆姬;李俊庆;熊谷智弥;高桥元树设计研发完成，并于2022-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本稀释剂组合物和处理半导体衬底的表面的方法在说明书摘要公布了：本申请公开了稀释剂组合物和处理半导体衬底的表面的方法。本公开涉及用于去除抗蚀剂的稀释剂组合物和使用该稀释剂组合物的半导体衬底的处理方法。特别地，所述稀释剂组合物包括a丙二醇单烷基醚、b丙二醇单烷基醚乙酸酯、c环己酮和d环戊酮。此外，所述半导体衬底的处理方法包括在半导体衬底上施加光刻胶组合物；以及使用本发明的稀释剂组合物来去除所施加的光刻胶组合物。
本发明授权稀释剂组合物和处理半导体衬底的表面的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于去除抗蚀剂的稀释剂组合物，其包括丙二醇单烷基醚、丙二醇单烷基醚乙酸酯、环己酮和环戊酮，其中，基于所述稀释剂组合物的总重量，所述环己酮和所述环戊酮的组合的总量占所述稀释剂组合物的25wt％至59wt％，所述环己酮与所述环戊酮的重量比在1:0.1至1:10之间。
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