中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司金吉松获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823291B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110063616.3，技术领域涉及：H10P76/20；该发明授权半导体结构的形成方法是由金吉松;苏柏青;苏柏松设计研发完成，并于2021-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，包括用于形成目标图形的目标层；在所述基底上形成核心层，所述核心层沿第一方向延伸，与所述第一方向相垂直的方向为第二方向；在所述核心层的侧壁上形成第一掩膜侧墙；在所述第一掩膜侧墙的侧壁上形成自对准牺牲侧墙；在所述核心层和自对准牺牲侧墙以及第一掩膜侧墙露出的基底上形成抗刻蚀层；去除所述自对准牺牲侧墙，形成第一凹槽；去除所述核心层，使所述第一掩膜侧墙围成第二凹槽；以所述第一掩膜侧墙和抗刻蚀层为掩膜，沿所述第一凹槽和第二凹槽刻蚀所述目标层，形成目标图形。本发明实施例有利于提高所述目标图形的尺寸精确度、以及目标图形与设计图形之间的匹配度。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，包括用于形成目标图形的目标层； 在所述基底上形成核心层，所述核心层沿第一方向延伸，与所述第一方向相垂直的方向为第二方向； 在所述核心层的侧壁上形成第一掩膜侧墙； 在所述第一掩膜侧墙的侧壁上形成自对准牺牲侧墙； 在所述核心层和自对准牺牲侧墙以及第一掩膜侧墙露出的基底上形成抗刻蚀层；其中，形成所述抗刻蚀层的过程中，所述抗刻蚀层与所述自对准牺牲侧墙的材料相同，且所述抗刻蚀层中具有掺杂离子，所述掺杂离子适于增大所述抗刻蚀层与所述自对准牺牲侧墙之间的刻蚀选择比； 去除所述自对准牺牲侧墙，形成第一凹槽； 去除所述核心层，使所述第一掩膜侧墙围成第二凹槽； 以所述第一掩膜侧墙和抗刻蚀层为掩膜，沿所述第一凹槽和第二凹槽刻蚀所述目标层，形成目标图形。
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