奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司S·拉斯获国家专利权
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龙图腾网获悉奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114830360B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080088625.1，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权半导体器件及其制造方法是由S·拉斯;B·霍斯霍尔德;A·瓦尔奇克;A·多布纳;H·卢斯设计研发完成，并于2020-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：描述了一种半导体器件100，包括：载体1；至少一个半导体芯片2，所述至少一个半导体芯片布置在所述载体1上并且在所述半导体芯片2的背离所述载体1的主表面上具有至少一个第一电接触部11。所述半导体器件包括布置在所述载体1上的电绝缘层3以及至少一个电连接层4，所述至少一个电连接层通过所述电绝缘层3引导至所述第一电接触部11，其中所述电绝缘层3具有可光结构化材料。此外说明了一种用于制造半导体器件100的方法。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括 -载体1， -至少一个半导体芯片2，所述至少一个半导体芯片布置在所述载体1上并且在所述半导体芯片2的背离所述载体1的主表面上具有至少一个第一电接触部11， -布置在所述载体1上的电绝缘层3，以及 -至少一个电连接层4，所述至少一个电连接层通过所述电绝缘层3引导至所述第一电接触部11， 其中所述电绝缘层3具有可光结构化材料，其中所述电绝缘层3具有第一子层3A和布置在所述第一子层上方的第二子层3B，所述第一子层和所述第二子层均为可光结构化层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，其通讯地址为：德国雷根斯堡；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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