浙江大学童利民获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种基于耦合纳米线对的极强场约束激光器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114865450B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210448330.1,技术领域涉及:H01S5/10;该发明授权一种基于耦合纳米线对的极强场约束激光器是由童利民;吴昊;杨柳;郭欣;王攀设计研发完成,并于2022-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于耦合纳米线对的极强场约束激光器在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于耦合纳米线对的极强场约束激光器。包括一对并排的纳米线,一对纳米线之间形成纳米级的狭缝;包括照射到纳米线的光束,纳米线受光束照射后发光,发光被局限在狭缝周围且沿狭缝传输、受激放大并出射作为激光器的输出光。本发明通过将两根纳米线组装成一个耦合纳米线对,从而形成具有约1nm宽狭缝结构的全介质腔,实现了低至约0.3nm的超强光场约束,提供了全新的具有亚纳米级场约束的纳米激光器的实现途径。
本发明授权一种基于耦合纳米线对的极强场约束激光器在权利要求书中公布了:1.一种基于耦合纳米线对的极强场约束激光器,其特征在于: 包括一对并排的纳米线1,一对纳米线1之间形成纳米级的狭缝2; 包括照射到纳米线的光束3,纳米线1受光束照射后发光,发光被局限在狭缝中且沿狭缝传输2、受激放大并出射作为激光器的输出光; 所述一对并排的纳米线1是两根沿同一直线或者曲线并排的纳米线构成,两根纳米线之间狭缝各处间距相等; 所述的狭缝2沿水平方向上的宽度约等于1nm; 所述的狭缝中形成亚纳米的场约束,包括在沿纳米线之间并排方向的水平方向为0.3nm尺寸的场约束和沿垂直于纳米线并排方向的竖直方向为1nm尺寸的场约束。
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