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龙图腾网获悉三序光学科技(苏州)有限公司申请的专利一种新型神经光电极获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114869288B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210703859.3，技术领域涉及：A61B5/294；该发明授权一种新型神经光电极是由朱兵兵;宁玲设计研发完成，并于2022-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种新型神经光电极在说明书摘要公布了：本发明公开了一种新型神经光电极，包括：芯片，芯片用于垂直发射调制后的激光至电极结构；电极结构，电极结构的尖端远离芯片，电极结构能够同时进行光信号和电信号的传导；芯片和电极结构均使用柔硅衬底，通过耦合的方式进行对接，并封装于柔性材料内。本发明提供的新型神经光电极，为一种PIC硅光波导结合柔性犹他电极的全新脑电极结构，除了发送和接收神经元电信号外，可通过激光实现更深范围的刺激，同时利用PIC芯片的MZ调制技术，能够根据反馈信号实现定点定量的光信号刺激，具有柔性的特征，可降低对脑部损伤，并同时实现光电刺激，提高刺激深度，拓展了应用范围，具有广阔的应用前景。

本发明授权一种新型神经光电极在权利要求书中公布了：1.一种新型神经光电极，其特征在于，包括： 芯片，所述芯片用于垂直发射调制后的激光至电极结构； 电极结构，所述电极结构的尖端远离芯片，电极结构能够同时进行光信号和电信号的传导； 所述芯片和电极结构均使用柔硅衬底，通过耦合的方式进行对接，并封装于柔性材料内； 所述芯片为PIC芯片，边收光，通过光栅垂直发射调制后的激光，芯片形成与硅电极阵列间距等相匹配的垂直发射出光口阵列； 所述电极结构包括由若干根硅电极阵列排布形成的硅电极阵列，硅电极之间相互绝缘，所述芯片具有与硅电极阵列尺寸相匹配的垂直发射出光口阵列； 所述芯片的入光口处设置用于调整入光口处波导尺寸的光斑适配器； 所述芯片内置与电极结构相适配的电极组； 所述硅电极为高掺低阻柔性硅，所述硅电极外表面设置有绝缘层，所述硅电极的尖端裸露，尖端外围部分设置有金属层； 外部激光光源通过透镜光纤方式耦合进入芯片，在耦合进入芯片之前，增设光斑适配器，波导形成Y型分支，经过MZ调制后通过光栅从圆形中心O处发射，周围一圈为电极，形成电极组，电极组的每个电极分别与电极结构的一个硅电极一一对应并适配，电极组的电极与相适配的电极结构的硅电极背面相接触，电信号通过硅电极的尖端周围的金属层进行收发并经过电极组由电路进行传导，芯片以此单元为基本设计理念，形成与硅电极阵列间距等相匹配的垂直发射出光口阵列； 芯片垂直发射调制后的激光后，该激光经过耦合后进入电极结构，由尖端发光，芯片和电极结构减薄，呈现柔性，芯片和电极结构通过柔性材料进行封装，整体为柔性结构。

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