中国科学院化学研究所江浪获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院化学研究所申请的专利一种单分子层分子晶体制备及图案化的普适性方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114914361B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110175753.6，技术领域涉及：H10K71/12；该发明授权一种单分子层分子晶体制备及图案化的普适性方法是由江浪;刘洁;刘洁设计研发完成，并于2021-02-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种单分子层分子晶体制备及图案化的普适性方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种单分子层分子晶体制备及图案化的普适性方法。MMCs的制备方法，包括1配制有机半导体分子溶液；2基底预处理；3将裁剪好的模板放置在基底上；4将步骤1中配制的有机半导体分子溶液滴加到模板上，放置至有机半导体分子溶液中的溶剂挥发完毕，在基底上得到MMCs；5更换基底，在原来的模板上滴加溶剂，静置，待溶剂挥发完毕后，取下模板，基底上再次得到MMCs，重复步骤5。该单分子层分子晶体的制备方法基于模板法，在室温下大气环境中通过简单的滴注即可制备出多种MMCs材料。通过本发明制备的MMCs具有良好的结晶性，有利于构建不同结构的电子器件。
本发明授权一种单分子层分子晶体制备及图案化的普适性方法在权利要求书中公布了：1.一种单分子层分子晶体MMCs的制备方法，包括以下步骤： 1配制有机半导体分子溶液； 2基底预处理，裁剪模板，所述模板由可提供毛细作用的材料制成； 3将裁剪好的模板放置在基底上； 4将步骤1中配制的有机半导体分子溶液滴加到模板上，放置至有机半导体分子溶液中的溶剂挥发完毕，在基底上得到MMCs； 5更换基底，在原来的模板上滴加溶剂，静置，待溶剂挥发完毕后，取下模板，基底上再次得到MMCs，重复步骤5，直至模板上吸附的有机半导体分子洗脱完全。
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