纽富来科技股份有限公司小原佳获国家专利权
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龙图腾网获悉纽富来科技股份有限公司申请的专利半导体装置、多带电粒子束描绘装置以及多带电粒子束照射装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975321B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210149389.0，技术领域涉及：H10W70/63；该发明授权半导体装置、多带电粒子束描绘装置以及多带电粒子束照射装置是由小原佳;东和幸;岛田美代子;下冈义明;山口人美;五岛嘉国;森田博文;松本裕史设计研发完成，并于2022-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置、多带电粒子束描绘装置以及多带电粒子束照射装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体装置、多带电粒子束描绘装置以及多带电粒子束照射装置，能够抑制不希望的带电粒子束的偏转。实施方式的半导体装置具备：基板，沿着基板面内的第1方向以及基板面内的与第1方向交叉的第2方向具有以规定间隔设置的多个贯通孔；绝缘层，设置在基板上，多个贯通孔贯通该绝缘层；多个第1电极，设置在绝缘层上，相对于多个贯通孔分别在第1方向上邻接；多个第2电极，设置在绝缘层上，相对于多个贯通孔分别在第1方向上邻接，设置成与多个第1电极对置，被保持为规定电位；以及布线层，设置在绝缘层上，将相邻的多个第2电极之间电连接。
本发明授权半导体装置、多带电粒子束描绘装置以及多带电粒子束照射装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备： 基板，沿着基板面内的第1方向以及上述基板面内的与上述第1方向交叉的第2方向具有以规定间隔设置的多个贯通孔； 绝缘层，设置在上述基板上，上述多个贯通孔贯通该绝缘层； 多个第1电极，设置在上述绝缘层上，相对于上述多个贯通孔分别在上述第1方向上邻接； 连接布线，设置在上述绝缘层内； 多个第2电极，设置在上述绝缘层上，与上述连接布线电连接，相对于上述多个贯通孔分别在上述第1方向上邻接，设置成与上述多个第1电极对置，被保持为规定电位；以及 布线层，设置在上述绝缘层上，将相邻的上述多个第2电极之间电连接。
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