中国科学院微电子研究所丁才华获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种防烧毁封装结构、系统级封装模块及封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975353B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110197023.6，技术领域涉及：H10W20/49；该发明授权一种防烧毁封装结构、系统级封装模块及封装方法是由丁才华;丁飞;王启东设计研发完成，并于2021-02-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种防烧毁封装结构、系统级封装模块及封装方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种防烧毁封装结构、系统级封装模块及封装方法，解决了功率芯片发生短路故障，产生大量热量蔓延至主板，导致主板损伤的问题。防烧毁封装结构，用于功率芯片封装体和主板的封装；包括自保护结构和焊接结构；功率芯片封装体，下表面设置有第一焊盘；自保护结构，包括位于其上表面并且与第一焊盘对应的开口、贯通开口至自保护结构的下表面的通孔以及位于通孔侧壁的设置有填充材料的凹槽；焊接结构，用于通过通孔连接第一焊盘与主板上表面的第二焊盘，且与填充材料接触，填充材料用于吸收熔融状态下的焊接结构的焊料。实现了在功率芯片发生短路，电流增大热量增加时，能够及时切断主板与功率芯片封装体之间的供电路径，保护主板不受损伤。
本发明授权一种防烧毁封装结构、系统级封装模块及封装方法在权利要求书中公布了：1.一种防烧毁封装结构，其特征在于，用于功率芯片封装体和主板的封装；所述封装结构包括自保护结构和焊接结构； 所述功率芯片封装体，包括位于其下表面的第一焊盘； 所述自保护结构，包括位于其上表面并且与所述第一焊盘对应的开口、贯通所述开口至所述自保护结构的下表面的通孔以及位于所述通孔侧壁的凹槽，所述凹槽内设置有填充材料； 所述焊接结构，用于通过所述通孔连接所述第一焊盘与所述主板的上表面的第二焊盘，所述焊接结构与所述填充材料接触，所述填充材料用于吸收熔融状态下的焊接结构的焊料，以及时切断主板与功率芯片封装体之间的供电路径； 所述焊接结构包括一体结构的底座、颈部以及焊球； 所述底座，位于所述开口中且与所述第一焊盘下端接触； 所述颈部，位于所述通孔中且与所述填充材料接触； 所述焊球，位于所述自保护结构的下表面且与所述第二焊盘上端接触；所述填充材料的有效吸附体积大于颈部焊料的体积。
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