美光科技公司F·M·古德获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利硫族化物材料的保护性密封剂和其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114981985B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080093601.5，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权硫族化物材料的保护性密封剂和其形成方法是由F·M·古德;R·K·格拉布斯;G·S·卢加尼设计研发完成，并于2020-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本硫族化物材料的保护性密封剂和其形成方法在说明书摘要公布了：本申请案涉及硫族化物材料的保护性密封剂和其形成方法。描述用以形成衬垫以在制造工艺的后续操作或阶段期间保护例如存储元件材料的材料免于损坏的技艺。所述衬垫可使用强接合或弱接合来接合到所述材料例如，硫族化物材料。在一些情况下，可在所述制造工艺的蚀刻阶段期间沉积密封剂材料以防止后续蚀刻操作损坏刚刚蚀刻的材料。
本发明授权硫族化物材料的保护性密封剂和其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制造存储器设备的方法，其包括： 形成包括用于存储信息的硫族化物材料和导电材料的材料的堆叠； 作为制造工艺的蚀刻阶段的部分蚀刻材料的所述堆叠以形成导柱，所述蚀刻阶段包括： 使用第一蚀刻参数集合蚀刻所述硫族化物材料以暴露所述硫族化物材料的侧壁； 在蚀刻所述硫族化物材料的至少一部分之后或期间将第一密封剂材料沉积在所述硫族化物材料的所述侧壁上以形成第一衬垫；及 在沉积所述第一密封剂材料之后使用第二蚀刻参数集合蚀刻所述导电材料； 在蚀刻所述导电材料之后沉积第三密封剂材料以修复与所述硫族化物材料的所述侧壁耦合的所述第一衬垫；及 至少部分地基于沉积所述第三密封剂材料，作为在所述蚀刻阶段之后发生的沉积阶段的部分将第二密封剂材料沉积在所述导柱上方以形成第二衬垫。
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