北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司卢志高获国家专利权
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龙图腾网获悉北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司申请的专利具有高致密性的量子点膜层及其制备方法以及QLED发光器件和显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115000315B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210679838.2，技术领域涉及：H10K50/115；该发明授权具有高致密性的量子点膜层及其制备方法以及QLED发光器件和显示装置是由卢志高设计研发完成，并于2022-06-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有高致密性的量子点膜层及其制备方法以及QLED发光器件和显示装置在说明书摘要公布了：本申请涉及量子点发光二极管领域，公开了一种具有高致密性的量子点膜层及其制备方法以及QLED发光器件和显示装置。本申请在量子点中引入体积比量子点更小的、直径为0.2‑2nm的富勒烯等刚性立体材料，起到填充量子点之间间隙的作用。与常规量子点膜层相比，本申请方法旋涂的量子点膜层形貌大幅度提升，膜层的致密性更好。
本发明授权具有高致密性的量子点膜层及其制备方法以及QLED发光器件和显示装置在权利要求书中公布了：1.一种具有高致密性的量子点膜层的制备方法，其特征在于，将直径在0.2-2nm的立体刚性材料与量子点溶液混合后一同成膜；所述立体刚性材料的迁移率为1×10-2-1×10-5cm2Vs；所述立体刚性材料为富勒烯、金刚烷和立体金属有机框架材料中的一种或两种以上，且所述立体刚性材料至少包括富勒烯，且所述富勒烯为金属富勒烯。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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