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龙图腾网获悉合肥综合性国家科学中心能源研究院(安徽省能源实验室)申请的专利一种模拟太阳风轰击宇航级芯片的等离子体辐照平台获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115015735B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210614542.2，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权一种模拟太阳风轰击宇航级芯片的等离子体辐照平台是由叶扬;孔德峰;文斐;谭名昇;黄艳清;赵志豪;李博;胡纯栋;沈飊;梁立振;曹宏睿;訾鹏飞;屈浩;钱玉忠;裴明雪设计研发完成，并于2022-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种模拟太阳风轰击宇航级芯片的等离子体辐照平台在说明书摘要公布了：本发明公开了一种模拟太阳风轰击宇航级芯片的等离子体辐照平台，该平台为用来模拟太阳风高速等离子体粒子流轰击宇航级电子学芯片致使其致盲的辐照平台，具体涉及脉冲等离子体源以及芯片辐照检测技术领域，包括有辐照主机系统，多脉冲高压、大电流电源，电源控制器，真空腔室，真空泵组，高速脉冲进气阀，载物台以及芯片失效实时监测系统。本发明可以用来模拟空间多脉冲高速等离子辐照宇航级芯片后对芯片失效的影响，本发明所设计的等离子体源产生的目标等离子体和空间环境下的太阳风等离子体参数接近，是一种用来模拟该效应对宇航级电子学芯片致盲效应的有效手段。

本发明授权一种模拟太阳风轰击宇航级芯片的等离子体辐照平台在权利要求书中公布了：1.一种模拟太阳风轰击宇航级芯片的等离子体辐照平台，其特征在于，所述平台包括： 等离子体源主机系统，包括螺线管线圈、水冷结构、内电极、外电极，所述内电极设于外电极形成的内腔中，且所述内电极与所述外电极的端口处形成枪口结构用于发射等离子体，所述枪口结构采用拉瓦尔喷口结构，且该枪口结构处的内电极内缩，外电极外扩； 电源系统，被配置为产生多脉冲的高电压和大电流； 时序控制器，包括两种时间精度的时序控制器，一种为低时间精度控制器，一种为高时间精度控制器，其中，所述高时间精度控制器被配置为控制电源开断时序； 真空腔室和真空泵组，所述真空泵组包含分子泵以及机械泵； 高速脉冲进气阀，用于快速喷入工作气体； 载物台，设置于位于平台尾部的三维电动导轨上方，与所述内、外电极轴心相对设置，所述载物台被配置为在其上放置受辐照样品芯片，并且通过所述三维电动导轨的运动，能够使得受辐照样品芯片接受不同辐照角度及辐照距离； 芯片失效分析实时监测系统，被配置为对所述受辐照样品芯片进行失效实时监测和分析； 所述等离子体源主机系统中内电极与外电极以及螺线管线圈均采用圆柱形结构且空间位置上保持同轴结构；所述螺线管线圈与所述水冷结构之间采用导热硅脂连接以起到散热功能；所述螺线管线圈与所述内电极之间采用有机硅密封胶连接以起到绝缘功能；所述内电极、和所述外电极之间采用聚四氟乙烯材料连接以起到绝缘以及封闭真空功能； 所述螺线管线圈设于所述内电极内；通过所述螺线管线圈通电以向等离子源主机系统内生成的等离子体提供极向磁场；所述等离子体通过所述枪口结构射向位于载物台上的受辐照样品芯片。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥综合性国家科学中心能源研究院(安徽省能源实验室)，其通讯地址为：230000 安徽省合肥市包河区滨湖卓越城文华园9号楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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