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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种半导体器件、DRAM及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020318B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110246734.8，技术领域涉及：H10W10/17；该发明授权一种半导体器件、DRAM及其制造方法是由金一球;周娜;李俊杰;杨涛;李俊峰;王文武设计研发完成，并于2021-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件、DRAM及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体器件、DRAM及其制造方法，属于半导体技术领域，解决现有通孔双镶嵌刻蚀方案存在通孔倒角不均衡或者容易产生围栏的问题。器件包括：金属部件设置半导体衬底中；第一互连件设置在ILD层的第一开口中并与第一金属部件的顶面接触；第二互连件设置在ILD层的第二开口中，包括主体部和位于主体部下方的第一支部和第二支部，第一支部和第二支部分别与第二金属部件和第三金属部件的顶面接触，第一支部的宽度、第二支部的宽度和介于第一支部和第二支部之间的ILD层的凸起部的宽度之和小于等于主体部的宽度，ILD层的凸起部具有圆倒角。空腔大幅度增大了沟槽刻蚀工艺窗口，使得倒角能够有效圆角化并能够提高器件的可靠性。

本发明授权一种半导体器件、DRAM及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 金属部件，设置半导体衬底中并且所述金属部件的顶面与所述半导体衬底的顶面齐平，包括第一金属部件、第二金属部件和第三金属部件； 第一互连件，设置在ILD层的第一开口中并与所述第一金属部件的顶面接触，其中，所述第一互连件包括上部连接件、下部连接件和介于所述下部连接件和所述上部连接件之间的中间连接件，所述上部连接件具有第二宽度，所述下部连接件具有第一宽度，以及所述中间连接件的宽度自下而上从所述第一宽度逐渐增大至所述第二宽度； 第二互连件，设置在所述ILD层的第二开口中，包括主体部和位于所述主体部下方的第一支部和第二支部，所述第一支部和第二支部分别与所述第二金属部件和所述第三金属部件的顶面接触，其中，所述第一支部的宽度、所述第二支部的宽度和介于所述第一支部和所述第二支部之间的所述ILD层的凸起部的宽度之和为第三宽度，所述第三宽度小于等于所述主体部的宽度，所述第一支部和所述第二支部的宽度均为所述第一宽度，所述ILD层的凸起部具有圆倒角。

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