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圣邦微电子(北京)股份有限公司许晶获国家专利权

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龙图腾网获悉圣邦微电子(北京)股份有限公司申请的专利一种谷电流模式DC-DC转换器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115021563B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011564450.5,技术领域涉及:H02M3/158;该发明授权一种谷电流模式DC-DC转换器是由许晶;于翔设计研发完成,并于2021-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。

一种谷电流模式DC-DC转换器在说明书摘要公布了:一种谷电流模式DC‑DC转换器,包括误差放大器、转换单元和反馈单元,其特征在于:所述误差放大器基于参考电压Vrefref和所述反馈单元生成的反馈电压VFBFB生成误差放大电压VEAEA;所述转换单元基于所述误差放大电压VEAEA和时钟信号CLK,生成输出电压Voutout,其中,所述转换单元中包括电流检测单元和NMOS管,所述电流检测单元用于检测NMOS管的导通电流,并基于所述NMOS管的导通电流生成感应电流;所述反馈单元基于所述输出电压Voutout生成反馈电压VFBFB。基于本发明中的DC‑DC转换器,能够通过NMOS管的导通电流生成感应电流,减小PMOS管的导通时间,从而实现更小的占空比。

本发明授权一种谷电流模式DC-DC转换器在权利要求书中公布了:1.一种谷电流模式DC-DC转换器,包括误差放大器、转换单元和反馈单元,其特征在于: 所述误差放大器基于参考电压Vref和所述反馈单元生成的反馈电压VFB生成误差放大电压VEA; 所述转换单元基于所述误差放大电压VEA和时钟信号CLK,生成输出电压Vout,其中,所述转换单元中包括电流检测单元和NMOS管,所述电流检测单元用于检测NMOS管的导通电流,并基于所述NMOS管的导通电流生成感应电流; 所述转换单元中包括比较器、逻辑控制电路、PMOS管、NMOS管、电流检测电路、直流电流源、斜坡电流源、电阻;所述电流检测电路分别与所述NMOS管的源漏极相连接并基于所述NMOS管的源漏极电流输出感应电流,所述电流检测电路的输出端分别连接直流电流源,斜坡电流源和电阻的一端,直流电流源另一端接电源电压,斜坡电流源另一端接地,电阻另一端经过一个并联电路后接地,所述并联电路为直流电压源和开关的并联电路; 所述反馈单元基于所述输出电压Vout生成反馈电压VFB。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人圣邦微电子(北京)股份有限公司,其通讯地址为:100089 北京市海淀区西三环北路87号13层3-1301;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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