江苏第三代半导体研究院有限公司闫其昂获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏第三代半导体研究院有限公司申请的专利半导体发光结构、其制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115064625B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210683630.8，技术领域涉及：H10H20/821；该发明授权半导体发光结构、其制备方法及应用是由闫其昂;王国斌设计研发完成，并于2022-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体发光结构、其制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体发光结构、其制备方法及应用。所述半导体发光结构包括n型层、发光层和p型层，发光层包括前置调制层和后置发光层；前置调制层中设置有多种不同的开口引导结构，所述开口引导结构延伸形成相应的多种不同深度和或开口直径的第一倒锥坑结构。本发明在发光层中引入不同深度和开口直径的倒锥坑结构，该结构一方面极大提高了空穴在发光层中的注入深度的分布范围和注入均匀性，进而提高了后置量子阱发光层中空穴分布的均匀性，提高了发光效率；另一方面极大提高了发光层中载流子泄露至位错的屏蔽能力，抑制了非辐射复合，提高了外延片的漏电性能；再者，通过原位工艺处理形成倒锥坑结构工艺简单，便于量产中降低生产成本。
本发明授权半导体发光结构、其制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种半导体发光结构，包括n型氮化物层、氮化物量子阱发光层和p型氮化物层，其特征在于，所述氮化物量子阱发光层包括前置量子阱调制层和后置量子阱发光层，所述前置量子阱调制层设置于n型氮化物层和后置量子阱发光层之间； 并且，所述前置量子阱调制层中设置有多种不同深度和或开口直径的开口引导结构，所述开口引导结构延伸至后置量子阱发光层，以使所述后置量子阱发光层内形成相应的多种不同深度和或开口直径的第一倒锥坑结构； 所述开口引导结构包括开口单元和或引导单元，所述开口单元为第二倒锥坑结构，所述开口引导结构的起点在前置量子阱调制层内，所述前置量子阱调制层包括周期性循环生长的前置量子阱层和前置量子垒层。
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