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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利GaN场效应晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115101579B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210680756.X，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权GaN场效应晶体管是由杨军;贾利芳;樊中朝;何志;杨香;王晓东;杨富华设计研发完成，并于2022-06-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本GaN场效应晶体管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种GaN场效应晶体管，包括衬底；外延层，外延层设置有源极、漏极，以及靠近源极的外延槽；栅极结构，设置于外延槽内，栅极结构包括：重掺杂p‑GaN层，沉积于外延槽底部，用于耗尽栅极结构的二维电子气导电沟道；轻掺杂p‑GaN层，沉积于重掺杂p‑GaN层上，轻掺杂p‑GaN层两侧形成沟槽结构；栅介质层，覆盖轻掺杂p‑GaN层的侧壁与沟槽结构，和重掺杂p‑GaN层的侧壁；以及栅金属层，与轻掺杂p‑GaN层顶部接触，用于与轻掺杂p‑GaN层形成栅极肖特基接触，本发明克服了传统p‑GaN栅HEMT器件的栅击穿电压普遍小于10V的问题，大幅提升了GaNHEMT器件的栅极正向击穿电压，降低了栅极泄露电流。

本发明授权GaN场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.一种GaN场效应晶体管，包括： 衬底； 外延层，包括依次层叠的缓冲层、势垒层以及钝化层，所述外延层设置有源极、漏极，以及靠近所述源极的外延槽，所述外延槽在所述钝化层中形成，且所述外延槽的底部延伸至与所述势垒层相接触； 栅极结构，设置于所述外延槽内，所述栅极结构包括： 重掺杂p－GaN层，沉积于所述外延槽底部，用于耗尽所述栅极结构的二维电子气导电沟道； 轻掺杂p－GaN层，沉积于所述重掺杂p－GaN层上，所述轻掺杂p－GaN层两侧形成沟槽结构； 栅介质层，覆盖所述轻掺杂p－GaN层的侧壁与所述沟槽结构的底部，和所述重掺杂p－GaN层的侧壁，其中所述栅介质层未覆盖所述轻掺杂p－GaN层的顶部，所述栅介质层隔离所述势垒层与所述钝化层；以及 栅金属层，与所述轻掺杂p－GaN层顶部接触，用于与所述轻掺杂p－GaN层形成栅极肖特基接触； 其中，所述轻掺杂p－GaN层的所述沟槽结构的侧壁以及覆盖所述轻掺杂p－GaN层的侧壁与所述沟槽结构的底部的所述栅介质层用于与所述栅金属层形成金属－绝缘层－半导体结构。

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