联华电子股份有限公司许加庆获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利半导体存储器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115132918B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110320383.0，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权半导体存储器件及其制作方法是由许加庆设计研发完成，并于2021-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体存储器件及其制作方法，其中该半导体存储器件包含一衬底；一第一介电层，位于衬底上；一底部电极，位于第一介电层上；一第二介电层，位于第一介电层上；一顶部电极，位于第二介电层中，顶部电极包含一下部和一锥形上部，且下部位于底部电极的周围；一第三介电层，位于底部电极上方并位于顶部电极的锥形上部的周围；一电阻切换层，位于底部电极的一侧壁和顶部电极的下部的一侧壁之间，和第三介电层和顶部电极的锥形上部的一侧壁之间；以及一气隙，位于第三介电层中。
本发明授权半导体存储器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器件，其特征在于，包含： 衬底； 第一介电层，位于所述衬底上； 底部电极，位于所述第一介电层上； 第二介电层，位于所述第一介电层上； 顶部电极，位于所述第二介电层中，所述顶部电极包含下部和锥形上部，且所述下部位于所述底部电极的周围，其中所述顶部电极的所述锥形上部的宽度从上到下逐渐缩小，连接至宽度一致的所述下部，使得所述顶部电极整体上宽下窄； 第三介电层，位于所述底部电极上方并位于所述顶部电极的所述锥形上部的周围； 电阻切换层，位于所述底部电极的侧壁和所述顶部电极的所述下部的侧壁之间，和所述第三介电层和所述顶部电极的所述锥形上部的侧壁之间；以及 气隙，位于所述第三介电层中。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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