武汉高芯科技有限公司黄立获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉高芯科技有限公司申请的专利非制冷红外探测器的阵列级真空封装结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115290195B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211024380.3，技术领域涉及：G01J5/02；该发明授权非制冷红外探测器的阵列级真空封装结构及其制备方法是由黄立;王雅琴;叶帆;王春水;高健飞设计研发完成，并于2022-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本非制冷红外探测器的阵列级真空封装结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于非制冷红外探测器技术领域，具体为非制冷红外探测器的阵列级真空封装结构及其制备方法。本发明采用阵列级真空封装结构，阵列级真空封装能降低非制冷红外探测器的尺寸、成本和重量。阵列级真空封方法采用MEMS工艺制备，不引入额外的物料配件，且制备工艺与非制冷红外结构工艺完全兼容，不需要额外搭建产线，缩减了封装的步骤流程和成本，同时利于芯片微型化。
本发明授权非制冷红外探测器的阵列级真空封装结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.非制冷红外探测器的阵列级真空封装结构，其特征在于，封装结构包括： 内置读出电路的基板1； 位于基板1上方的探测阵列结构，所述探测阵列结构包括多个像元，每个像元包括支撑锚柱5和支撑微桥结构6，支撑锚柱5为空腔结构，空腔内保留有牺牲层材料； 微盖，支撑于探测阵列外侧的基板1及支撑锚柱5之上，微盖与基板之间形成倒扣微腔，同一探测阵列的多个像元置于同一微腔结构内。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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