中通服咨询设计研究院有限公司李焕群获国家专利权
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龙图腾网获悉中通服咨询设计研究院有限公司申请的专利一种基于有机微纳晶体的有机场效应晶体管存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115360298B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211054393.5，技术领域涉及：H10K10/46；该发明授权一种基于有机微纳晶体的有机场效应晶体管存储器及其制备方法是由李焕群;周鹤;张国新;王睿;周楠;郭栋;钱震;杨峰设计研发完成，并于2022-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于有机微纳晶体的有机场效应晶体管存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于有机微纳晶体的有机场效应晶体管存储器及其制备方法，包括自下而上依次布置的衬底、栅电极、栅绝缘层、聚合物修饰层、有机微纳晶体薄膜层、有机半导体层和源漏电极；所述的有机微纳晶体薄膜层中的有机微纳晶体是基于有机芴基小分子的形貌、尺寸均一且具有薄膜兼容性的二维微纳晶体；所述的有机芴基小分子的分子构型为在芴基结构上修饰两个二甲基。本发明基于有机微纳晶体的有机场效应晶体管存储器从材料入手，在此基础上对薄膜形貌进行调控，实现简易制备和环境友好的绿色溶液加工，提升器件的存储性能，所制备的有机小分子微纳晶体层能够改善器件的存储性能，并具有高存储密度和高数据稳定性等特点。
本发明授权一种基于有机微纳晶体的有机场效应晶体管存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于有机微纳晶体的有机场效应晶体管存储器，其特征在于，包括自下而上依次布置的衬底、栅电极、栅绝缘层、聚合物修饰层、有机微纳晶体薄膜层、有机半导体层和源漏电极； 所述的有机微纳晶体薄膜层中的有机微纳晶体是基于有机芴基小分子的二维菱形的微纳晶体，厚度为8-12nm、尺寸为2-4um； 所述的有机芴基小分子的分子构型为在芴基结构上修饰两个二甲基，其结构式如下：
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