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龙图腾网获悉福州大学;南通瑞镛科信息技术有限公司申请的专利一种低噪声高增益混频器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115360984B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211025246.5，技术领域涉及：H03D7/14；该发明授权一种低噪声高增益混频器是由王少昊;尤西;刘雄;何琳;黄利设计研发完成，并于2022-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低噪声高增益混频器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种低噪声高增益混频器，采用一组电流复用跨导放大电路与一组交叉耦合负载电路，通过对称的P型跨导管和N型跨导管对信号进行放大，在不增加通路电流的前提下获得更大的等效跨导，同时在跨导管的输入与输出之间接入负反馈电阻，无需额外引入偏置电路进行偏压，跨导管源极与地之间加入电感构成源极负反馈结构，在不增加功耗和噪声的前提下增大电路稳定性；再利用交叉耦合负载电路产生更大的等效负载，在不增加功耗的前提下获得更大的增益并改善电路噪声。该混频器增益大，噪声低，功耗低。

本发明授权一种低噪声高增益混频器在权利要求书中公布了：1.一种低噪声高增益混频器，其特征在于，采用一组电流复用跨导放大电路与一组交叉耦合负载电路，通过对称的P型跨导管和N型跨导管对信号进行放大，在不增加通路电流的前提下获得更大的等效跨导，同时在跨导管的输入与输出之间接入负反馈电阻，无需额外引入偏置电路进行偏压，跨导管源极与地之间加入电感构成源极负反馈结构，在不增加功耗和噪声的前提下增大电路稳定性；再利用交叉耦合负载电路产生更大的等效负载，在不增加功耗的前提下获得更大的增益并改善电路噪声； 包括电流复用跨导放大电路1、开关级电路2和交叉耦合负载电路3；其中，电流复用跨导放大电路1包括第一NMOS管M1、第二NMOS管M3、第一PMOS管M2、第二PMOS管M4、第一电阻R1、第二电阻R2、第一电容C1、第二电容C2、第一电感L1、第二电感L2、第三电感L3、第四电感L4；开关级电路2包括第三NMOS管M5、第四NMOS管M6、第五NMOS管M7、第六NMOS管M8；交叉耦合负载电路3包括第三PMOS管M9、第四PMOS管M10、第五PMOS管M11、第六PMOS管M12、第三电阻R3； 所述第一电容C1的一端作为差分输入信号端口VINP，第一电容C1的另一端与第一NMOS管M1的栅极、第一PMOS管M2的栅极、第一电阻R1的一端相连接，第一NMOS管M1的源端与第一电感L1的一端相连接，第一电感L1的另一端与GND相连接，第一PMOS管M2的源端与第二电感L2的一端相连接，第二电感L2的另一端与VDD相连接，第一电阻R1的另一端与第一NMOS管M1的漏端、第一PMOS管M2的漏端、第三NMOS管M5的源端、第四NMOS管M6的源端相连接；第二电容C2的一端作为差分输入信号端口VINN，第二电容C2的另一端与第二NMOS管M3的栅极、第二PMOS管M4的栅极、第二电阻R2的一端相连接，第二NMOS管M3的源端与第三电感L3的一端相连接，第三电感L3的另一端与GND相连接，第二PMOS管M4的源端与第四电感L4的一端相连接，第四电感L4的另一端与VDD相连接，第二电阻R2的另一端与第二NMOS管M3的漏端、第二PMOS管M4的漏端、第五NMOS管M7的源端、第六NMOS管M8的源端相连接；第三NMOS管M5的栅极和第五NMOS管M7的栅极作为本振信号LO+的输入端，第四NMOS管M6的栅极和第六NMOS管M8的栅极作为本振信号LO-的输入端；第三NMOS管M5的漏端、第六NMOS管M8的漏端、第三PMOS管M9的漏端和栅极、第四PMOS管M10的漏端、第五PMOS管M11的栅极、第三电阻R3的一端与输出端口VOUTN相连接；第四NMOS管M6的漏端、第五NMOS管M7的漏端、第五PMOS管M11的漏端、第六PMOS管M12的漏端和栅极、第四PMOS管M10的栅极、第三电阻的另一端与输出端口VOUTP相连接；第三PMOS管M9的源端、第四PMOS管M10的源端、第五PMOS管M11的源端、第六PMOS管M12的源端与VDD相连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人福州大学;南通瑞镛科信息技术有限公司，其通讯地址为：362251 福建省泉州市晋江市金井镇水城路1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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